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IXFN180N20 48HRS

Silicon-based N-channel MOSFET, optimized for power transmission up to 200 volts and 180 amperes, contained within a 4-pin SOT-227B package

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Littelfuse

Herstellerteil #: IXFN180N20

Datenblatt: IXFN180N20 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-227-4

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $134,611 $134,611
200 $53,711 $10742,200
500 $51,916 $25958,000
1000 $51,029 $51029,000

Auf Lager: 9.458 Stck

- +

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IXFN180N20 Allgemeine Beschreibung

The IXFN180N20 is a part of the N-Channel HiPerFET™ Standard series, featuring Power MOSFETs designed for both hard switching and resonant mode applications. These MOSFETs are known for their low gate charge, excellent ruggedness, and fast intrinsic diode. With a wide range of standard industrial packages available, including isolated types, this series offers flexibility and reliability in various applications

Funktionen

  • High Speed Switching Ability
  • Ultra Low Drain Source Current
  • Ruggedized Metal Substrate Technology
  • Avalanche Rated Capability

Anwendung

  • High efficiency
  • Reliable performance
  • Low power loss

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Drain-Source Voltage (V) 200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0125
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 180 Gate Charge (nC) 660
Input Capacitance, CISS (pF) 22000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.18
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 700 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Sample Request No

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXFN180N20 is a power MOSFET chip designed for high voltage and high current applications. It is capable of handling a voltage of 200V and a continuous current of 180A. With a low on-resistance and high switching speed, this chip allows for efficient power switching in various electronic devices and systems.
  • Equivalent

    Some equivalent products for the IXFN180N20 chip include Infineon's BSP180N20N MOSFET and Texas Instruments' CSD18520KCS MOSFET.
  • Features

    The IXFN180N20 is a N-channel power MOSFET with a voltage rating of 200V and a current rating of 180A. It features low on-resistance, high switching speed, and high ruggedness. The device is suitable for applications such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    The IXFN180N20 is a power MOSFET transistor with a pin count of 4. Its pins function as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, Pin 3 is the source, and Pin 4 is the sense.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IXFN180N20 is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that specializes in power and analog semiconductors.
  • Application Field

    The IXFN180N20 is a high-power MOSFET transistor used in various application areas such as power supplies, motor controls, inverters, battery chargers, and welding equipment. Its high voltage rating and low on-resistance make it suitable for high-power switching applications.
  • Package

    The IXFN180N20 chip has a TO-247 package type, a transistor form, and a size of 1.43 inches by 0.76 inches.

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