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IXFN180N20
Silicon-based N-channel MOSFET, optimized for power transmission up to 200 volts and 180 amperes, contained within a 4-pin SOT-227B package
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Marken: Littelfuse
Herstellerteil #: IXFN180N20
Datenblatt: IXFN180N20 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $134,611 | $134,611 |
200 | $53,711 | $10742,200 |
500 | $51,916 | $25958,000 |
1000 | $51,029 | $51029,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN180N20 Allgemeine Beschreibung
The IXFN180N20 is a part of the N-Channel HiPerFET™ Standard series, featuring Power MOSFETs designed for both hard switching and resonant mode applications. These MOSFETs are known for their low gate charge, excellent ruggedness, and fast intrinsic diode. With a wide range of standard industrial packages available, including isolated types, this series offers flexibility and reliability in various applications
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Funktionen
- High Speed Switching Ability
- Ultra Low Drain Source Current
- Ruggedized Metal Substrate Technology
- Avalanche Rated Capability
Anwendung
- High efficiency
- Reliable performance
- Low power loss
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Drain-Source Voltage (V) | 200 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.0125 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 180 | Gate Charge (nC) | 660 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 22000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.18 |
Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
Power Dissipation (W) | 700 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
Sample Request | No |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFN180N20 is a power MOSFET chip designed for high voltage and high current applications. It is capable of handling a voltage of 200V and a continuous current of 180A. With a low on-resistance and high switching speed, this chip allows for efficient power switching in various electronic devices and systems.
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Equivalent
Some equivalent products for the IXFN180N20 chip include Infineon's BSP180N20N MOSFET and Texas Instruments' CSD18520KCS MOSFET. -
Features
The IXFN180N20 is a N-channel power MOSFET with a voltage rating of 200V and a current rating of 180A. It features low on-resistance, high switching speed, and high ruggedness. The device is suitable for applications such as motor control, power supplies, and inverters. -
Pinout
The IXFN180N20 is a power MOSFET transistor with a pin count of 4. Its pins function as follows: Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, Pin 3 is the source, and Pin 4 is the sense. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXFN180N20 is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that specializes in power and analog semiconductors. -
Application Field
The IXFN180N20 is a high-power MOSFET transistor used in various application areas such as power supplies, motor controls, inverters, battery chargers, and welding equipment. Its high voltage rating and low on-resistance make it suitable for high-power switching applications. -
Package
The IXFN180N20 chip has a TO-247 package type, a transistor form, and a size of 1.43 inches by 0.76 inches.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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