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BSS84PWH6327XTSA1
Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: BSS84PWH6327XTSA1
Datenblatt: BSS84PWH6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70,SOT-323
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.513 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,083 | $0,415 |
| 50 | $0,068 | $3,400 |
| 150 | $0,061 | $9,150 |
| 500 | $0,055 | $27,500 |
| 3000 | $0,049 | $147,000 |
| 6000 | $0,046 | $276,000 |
Auf Lager: 8.513 Stck
BSS84PWH6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung
The BSS84PWH6327XTSA1 from Infineon is a versatile dual N-channel MOSFET transistor that is perfect for low voltage, high-speed switching applications. With a maximum drain-source voltage of 50V and a continuous drain current of 130mA, this transistor is well-suited for a range of low-power electronic devices and circuits. Its compact SOT323 package with 3 pins makes it easy to integrate into various designs, while its low on-resistance of 6 Ohms ensures efficient power management and minimal power loss
Funktionen
- Fast turn-off time for high-speed switching
- High current handling up to 10 A
- RoHS compliant for environmentally friendly designs
Anwendung
- Mobile phone switching
- DC-DC conversion
- LED lighting systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | SIPMOS® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 150mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19.1 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-SOT323 |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSS84PWH6327XTSA1 is a P-channel enhancement mode field-effect transistor chip designed for switching applications in portable electronics. It has a maximum drain-source voltage of -50V and a maximum continuous drain current of -300mA. This chip is commonly used in power management circuits to control power flow in devices such as smartphones, tablets, and laptops.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSS84PWH6327XTSA1 chip are FDC6327, NDT6327, and ZVP6327. These products have similar specifications and performance characteristics to the BSS84PWH6327XTSA1 chip, making them suitable replacements in various applications. -
Features
- N-channel MOSFET transistor - 50V drain-source voltage rating - 2A continuous drain current - Low threshold voltage of 1V - Surface mount SOT223 package - RoHS compliant - Suitable for general purpose switching applications -
Pinout
The BSS84PWH6327XTSA1 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET with a SOT363 package. It has 2 pins - gate (pin 1) and source/drain (pin 2). The function of BSS84PWH6327XTSA1 is to control the flow of current between the source and drain terminals based on the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSS84PWH6327XTSA1. It is a multinational semiconductor manufacturer, providing solutions for automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSS84PWH6327XTSA1 is commonly used in low voltage applications such as power management, load switching, and signal amplification in portable and battery-operated devices. It is also utilized in automotive electronics, telecommunications equipment, and consumer electronics for its high efficiency and low on-state resistance. -
Package
The BSS84PWH6327XTSA1 chip comes in a SOT363 (SC-88) package, is in a single N-channel MOSFET form, and has dimensions of 2.1mm x 2.0mm x 1.15mm.
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