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$5000IXTM21N50
MOSFET 21 Amps 500V 0.23 Rds
Marken: ixys
Herstellerteil #: IXTM21N50
Datenblatt: IXTM21N50 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-204AE-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.333 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTM21N50 Allgemeine Beschreibung
The High Voltage series of N-Channel Standard MOSFETs are suitable for a wide variety of power switching systems, including high-voltage power supplies, capacitor discharge circuits, pulse circuits, and current regulators.
Funktionen
- International standard packages
- Fast switching times
- Avalanche rated
- Rugged Polysilicon Gate Cell structure
- Ultra-low R
- DS(on)
Anwendung
- Capacitor discharge circuits
- High voltage power supplies
- Pulse circuits
- Level shifting
- Solid State Relays
- Triggers
- Advantages:
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-204AE-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | MegaMOS |
| Brand | IXYS | Configuration | Single |
| Fall Time | 30 ns | Forward Transconductance - Min | 21 S |
| Height | 11.4 mm | Length | 39.12 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 33 ns |
| Factory Pack Quantity | 20 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 65 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns | Width | 26.66 mm |
| Unit Weight | 0.229281 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXTM21N50 is a high voltage, high current N-channel MOSFET chip designed for use in power applications. It features a maximum drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 21A, making it suitable for a wide range of industrial and high power applications. The chip is designed to provide efficient power switching with low on-state resistance and fast switching speeds.
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Equivalent
The equivalent products of IXTM21N50 chip are Infineon IPP60R125CPXKSA1, ON Semiconductor NTP60N06G, and Fairchild FDMS9604S. These chips are all power MOSFETs designed for applications where high efficiency and high power density are required. -
Features
1. 250V N-channel enhancement mode power MOSFET 2. Ultra low on-resistance 3. High current handling capability 4. Fast switching speed for efficient power conversion 5. Low gate charge for reduced switching losses 6. Avalanche rated for rugged and reliable performance in harsh environments. -
Pinout
IXTM21N50 is a Power MOSFET with a pin count of three. It functions as a high-voltage, high-performance N-channel MOSFET suitable for various power switching applications. -
Manufacturer
IXTM21N50 is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global semiconductor company that specializes in the development and production of power semiconductors, integrated circuits, and other electronic components. They provide products for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
IXTM21N50 is commonly used in power supplies, motor control, and lighting applications due to its high voltage and current capabilities. It can also be used in inverters, converters, and voltage regulators where high performance is required. Additionally, it is suitable for industrial and automotive applications that demand high reliability and efficiency. -
Package
The IXTM21N50 chip is a power MOSFET with a TO-247 package type. It comes in a standard form factor with a size of 16.51mm x 10.62mm x 5.84mm, making it suitable for high power applications.
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