Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

JANTX2N6766

Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Microsemi Corporation

Herstellerteil #: JANTX2N6766

Datenblatt: JANTX2N6766 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-204AE

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6617 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für JANTX2N6766 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

JANTX2N6766 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

JANTX2N6766

Funktionen

  • Avalanche Energy Rating
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Simple Drive Requirements
  • Ease of Paralleling
  • Hermetically Sealed

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Package Bulk Product Status Obsolete
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Grade Military
Qualification MIL-PRF-19500/543 Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-3

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The JANTX2N6766 is a high-frequency, high-gain silicon NPN transistor designed for use in applications requiring low noise and high linearity. It is commonly used in RF and microwave amplifier circuits, as well as in oscillator and mixer stages. With a maximum power dissipation of 3 watts and a frequency range of up to 4 GHz, the JANTX2N6766 is a versatile and reliable component in electronic systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of JANTX2N6766 chip are NTE128, 2N6766, ECG128, JANTXV2N6766, and T2N6766. These are all high-power NPN bipolar junction transistors that can be used in place of the JANTX2N6766 chip in various electronic applications.
  • Features

    JANTX2N6766 is a high-reliability, high-power NPN bipolar junction transistor with a maximum power dissipation of 30 watts. It has a minimum current gain of 40 and a maximum collector-emitter voltage of 150 volts. It is designed for use in demanding applications where reliability and performance are critical.
  • Pinout

    The JANTX2N6766 is a hermetically sealed NPN bipolar junction transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. It is designed for high reliability and performance in military and aerospace applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the JANTX2N6766 is Microsemi Corporation. It is a company that specializes in designing and producing high-performance semiconductor products, including power management solutions, RF and microwave components, and integrated circuits for various applications in aerospace, defense, automotive, industrial, and communications sectors.
  • Application Field

    The JANTX2N6766 is a high-reliability, high-power NPN bipolar junction transistor commonly used in applications requiring high power amplification such as in RF and microwave transmissions, radar systems, and power amplifiers. It is also suitable for use in military, aerospace, and other critical applications where reliability and performance are essential.
  • Package

    The JANTX2N6766 chip comes in a TO-39 metal can package type, with a through-hole mounting form. The size of the package is approximately 9.1 mm in diameter and 14.5 mm in height.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • 2SK2225-E

    2SK2225-E

    Renesas

    MOSFET Power Transistor 2SK2225-E: Lead-Free, TO-3...

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • SCT30N120

    SCT30N120

    Stmicroelectronics

    N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole H

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...