Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

JR28F064M29EWBA 48HRS

FLASH - NOR Memory IC 64Mbit Parallel 70 ns 48-TSOP I

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Micron Technology

Herstellerteil #: JR28F064M29EWBA

Datenblatt: JR28F064M29EWBA Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TSOP-48

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original

Produktart: NOR Flash

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $6,240 $6,240
200 $2,490 $498,000
576 $2,407 $1386,432
1152 $2,365 $2724,480

In Stock:9458 PCS

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für JR28F064M29EWBA oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

JR28F064M29EWBA Allgemeine Beschreibung

FLASH - NOR Memory IC 64Mbit Parallel 70 ns 48-TSOP I

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Micron Technology Product Category: NOR Flash
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-48
Series: M29EW Memory Size: 64 Mbit
Supply Voltage - Min: 2.7 V Supply Voltage - Max: 3.6 V
Active Read Current - Max: 50 mA Interface Type: Parallel
Organization: 8 M x 8/4 M x 16 Data Bus Width: 8 bit/16 bit
Timing Type: Asynchronous Minimum Operating Temperature: - 40 C
Maximum Operating Temperature: + 85 C Packaging: Tray
Brand: Micron Memory Type: NOR
Product Type: NOR Flash Speed: 70 ns
Standard: Common Flash Interface (CFI) Factory Pack Quantity: 576
Subcategory: Memory & Data Storage

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • JR28F064M29EWBA is a flash memory chip manufactured by Intel. It has a storage capacity of 64 megabytes and is designed to be used in various electronic devices, such as smartphones, tablets, and IoT devices. It offers fast read and write speeds, high reliability, and low power consumption. The chip utilizes NAND flash technology, making it suitable for applications that require high-performance data storage.
  • Features

    JR28F064M29EWBA is a 64GB NAND flash memory chip. It features a parallel interface with 8-bit bus width, operates at a voltage range of 2.7-3.6V, and provides high transfer rates. It has a low power consumption and is designed for use in applications such as automotive, industrial, and embedded systems.
  • Pinout

    The JR28F064M29EWBA is a 64M-bit flash memory device. It has a 64-pin package with various functions including data input/output, address input/output, power supply, and control signals.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the JR28F064M29EWBA is Intel Corporation. It is a technology company producing a wide range of hardware and software products, mainly focused on semiconductors, microprocessors, and other related components.
  • Application Field

    The JR28F064M29EWBA is primarily used in embedded systems and applications requiring high-speed, non-volatile storage, such as automotive, industrial automation, telecommunications, and consumer electronics. It offers reliable performance, a large storage capacity of 64 gigabits, and advanced features like error correction and power loss protection.
  • Package

    The JR28F064M29EWBA chip is in BGA package type, has a 64 megabit density, and a standard 8x10mm size.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • M48Z18-100PC1

    M48Z18-100PC1

    Stmicroelectronics

    Efficient power management technology for reliable...

  • M93S46-WMN6TP

    M93S46-WMN6TP

    STMicroelectronics, Inc

    EEPROM Memory IC 1Kbit SPI 2 MHz 8-SOIC

  • M93C66-RMC6TG

    M93C66-RMC6TG

    STMicroelectronics, Inc

    EEPROM Memory IC 4Kbit Microwire 1 MHz 8-UFDFPN (2...

  • R1LV0816ASB-5SI#B0

    R1LV0816ASB-5SI#B0

    Renesas Technology Corp

    SRAM Memory IC 8Mbit Parallel 55 ns 44-TSOP II

  • M24M01-DFMN6TP

    M24M01-DFMN6TP

    Stmicroelectronics

    STMICROELECTRONICS - M24M01-DFMN6TP - EEPROM with ...

  • M24M01-RDW6TP

    M24M01-RDW6TP

    Stmicroelectronics

    1Mbit EEPROM with I2C interface housed in a TSSOP-...