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K4B1G1646G-BCH9
DDR DRAM, 64MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96
Marken: SAMSUNG
Herstellerteil #: K4B1G1646G-BCH9
Datenblatt: K4B1G1646G-BCH9 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: FBGA96
Produktart: Memory chips
RoHS-Status:
Lagerzustand: 76 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMOvaga hat einen großen Vorrat an K4B1G1646G-BCH9 Memory chips von SAMSUNG und wir garantieren, dass es sich um originale, brandneue Teile handelt, die direkt bezogen wurden von SAMSUNG Wir können Qualitätsprüfberichte für bereitstellen K4B1G1646G-BCH9 auf Ihre Anfrage hin. Um ein Angebot zu erhalten, geben Sie einfach die erforderliche Menge, den Kontaktnamen und die E-Mail-Adresse in das Schnellangebotsformular auf der rechten Seite ein. Unser Vertriebsmitarbeiter wird sich innerhalb von 12 Stunden mit Ihnen in Verbindung setzen.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| ECCN (US) | EAR99 | Part Status | Obsolete |
| Automotive | No | PPAP | No |
| DRAM Type | DDR3 SDRAM | Chip Density (bit) | 1G |
| Organization | 64Mx16 | Number of Internal Banks | 8 |
| Number of Words per Bank | 8M | Number of Bits/Word (bit) | 16 |
| Data Bus Width (bit) | 16 | Maximum Clock Rate (MHz) | 1333 |
| Maximum Access Time (ns) | 0.255 | Address Bus Width (bit) | 16 |
| Interface Type | SSTL_1.5 | Minimum Operating Supply Voltage (V) | 1.425 |
| Typical Operating Supply Voltage (V) | 1.5 | Maximum Operating Supply Voltage (V) | 1.575 |
| Operating Current (mA) | 120 | Minimum Operating Temperature (°C) | 0 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 95 | Number of I/O Lines (bit) | 16 |
| Mounting | Surface Mount | Package Height | 0.75 |
| Package Width | 7.5 | Package Length | 13.3 |
| PCB changed | 96 | Standard Package Name | BGA |
| Supplier Package | FBGA | Pin Count | 96 |
| Lead Shape | Ball |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The K4B1G1646G-BCH9 chip is a 1 Gb DDR3 SDRAM component manufactured by Samsung. It is commonly used in various electronic devices such as computers, laptops, and servers to provide high-speed memory access for improved performance and efficiency.
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Equivalent
The equivalent products of the K4B1G1646G-BCH9 chip are MT41K1G8SN-125 and NT5CC256M16CP-DI. -
Features
K4B1G1646G-BCH9 is a DDR4 SDRAM with a capacity of 1 Gb and a speed of 2133 MHz. It operates at a low voltage of 1.2V, making it energy-efficient. This memory module is designed for use in computing devices requiring reliable and high-speed performance. -
Pinout
The K4B1G1646G-BCH9 is a 78-ball FBGA DRAM chip with a 11.5mm x 13mm package size. It has a 16-bit I/O interface and operates at 1.7V to 1.95V. The pin count includes VDD, VSS, DQ, DM, CLK, CKE, CS, and more for various functions such as power, data input/output, and control signals. -
Manufacturer
Samsung is the manufacturer of the K4B1G1646G-BCH9. It is a South Korean multinational conglomerate specializing in consumer electronics, semiconductors, and telecommunications equipment. Samsung is well-known for producing a wide range of electronic devices such as smartphones, televisions, and memory chips. -
Application Field
The K4B1G1646G-BCH9 is commonly used in electronics such as smartphones, tablets, laptops, and gaming consoles. It is also suitable for applications in automotive electronics, industrial control systems, and network devices. The high-speed performance and low power consumption make it an ideal choice for various memory-intensive applications. -
Package
The K4B1G1646G-BCH9 chip is a 78-ball FBGA package type, with a form factor of 10.8mm x 13.6mm x 1.2mm. It is a 1Gb DDR3 SDRAM chip with a size of 128 Meg x 8.
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