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K4B2G1646Q-BCK0
DDR DRAM, 128MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
Marken: SAMSUNG
Herstellerteil #: K4B2G1646Q-BCK0
Datenblatt: K4B2G1646Q-BCK0 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: FBGA96
Produktart: Speicher
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6482 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMK4B2G1646Q-BCK0 Allgemeine Beschreibung
K4B2G1646Q-BCK0 is a specific part number for a memory chip. It is a DDR3L SDRAM (Double Data Rate 3 Low Voltage Synchronous Dynamic Random Access Memory) with a capacity of 2 gigabits (256 megabytes).
Funktionen
- JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V) VDDQ = 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V) 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin 900MHz fCK for 1866Mb/sec/pin 8 Banks Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13 Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600) and 9(DDR3-1866) 8-bit pre-fetch Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS] Bi-directional Differential Data-Strobe Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%) On Die Termination using ODT pin Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85C, 3.9us at 85C
Anwendung
- Used in computer systems, laptops, and servers for data storage and processing
- Suitable for use in networking equipment, such as routers and switches
- Can be used in consumer electronics, such as smartphones and tablets, for memory expansion
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Name | K4B2G1646Q-BCK0 | Product Type | DDR3 SDRAM |
| Manufacturer | Samsung | Series | K4B2G1646Q |
| Memory Type | DDR3 SDRAM | Memory Size | 2Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | Data Rate | DDR3-1600-CL11 |
| Interface | DDR3 | Voltage | 1.5V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
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![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
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![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
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![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The K4B2G1646Q-BCK0 chip is a low power, high-speed CMOS dynamic random-access memory (DRAM) chip manufactured by Samsung. It has a capacity of 2 gigabytes (GB) and operates at a frequency of 800 MHz. This chip is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, and other computing devices.
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Equivalent
The equivalent products of the K4B2G1646Q-BCK0 chip are: - Micron MT47H64M16HR-25E:H - Hynix H5TC4G63AFR-PBA - Samsung K4B2G1646G-BCK0 - SK hynix H5TC4G63CFR-PBA - Micron MT47H64M16HR-25E:J -
Features
Key features of K4B2G1646Q-BCK0 include: - 2Gb DDR3 mobile SDRAM - Operates at an ultra-fast frequency of 1066 MHz - Compatible with a wide range of mobile devices - Low power consumption to extend battery life - Can be used in various applications such as smartphones, tablets, and laptops. -
Pinout
The K4B2G1646Q-BCK0 is a DDR3L SDRAM with a pin count of 96 pins. It is a 2Gb memory chip with a 16-bit I/O interface. This chip is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops for system memory storage and data processing. -
Manufacturer
Samsung is the manufacturer of the K4B2G1646Q-BCK0. It is a South Korean multinational conglomerate company that creates a wide range of products, including electronics, semiconductors, and telecommunications equipment. Samsung is one of the leading suppliers of memory chips in the world. -
Application Field
The K4B2G1646Q-BCK0 is a high-density, high-performance DDR4 SDRAM module commonly used in a variety of applications such as servers, workstations, gaming PCs, networking equipment, and industrial systems. Its fast data transfer speeds and large capacity make it ideal for high-bandwidth applications that require reliable and efficient memory solutions. -
Package
The K4B2G1646Q-BCK0 chip comes in a 78-ball 9x11.5mm FBGA package with a DDR3 SDRAM memory form. The size of the chip is 2Gb organized as 256Mbit x 8 I/Os.
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