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K4B4G1646E-BCK0
Marken: SAMSUNG
Herstellerteil #: K4B4G1646E-BCK0
Datenblatt: K4B4G1646E-BCK0 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: BGA96
Produktart: Speicher
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5732 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMK4B4G1646E-BCK0 Allgemeine Beschreibung
The 4Gb DDR3 SDRAM B-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks, device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications.Key Features• JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V)• VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V)• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin, 933MHz fCK for 1866Mb/sec/pin, 1066 MHz fCK for 2133Mb/sec/pin• 8 Banks• Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,12,13,14• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333) , 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866) and 10 (DDR3-2133)• 8-bit pre-fetch• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS]• Bi-directional Differential Data-Strobe• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)• On Die Termination using ODT pin• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
Funktionen
Anwendung
Spezifikationen
Parameter
Wert
Parameter
Wert
Manufacturer
SAMSUNG
Versand
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip commonly used in computer memory modules. It offers a capacity of 4 gigabits and operates at a high speed, making it suitable for various computing tasks. This chip is designed to provide efficient performance and reliability in memory-intensive applications.
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Equivalent
The equivalent products of K4B4G1646E-BCK0 chip are SK Hynix H5ANAG6NCJR-VKG/ VKR, Samsung K4B4G1646E-BCMH, and Micron MT41K512M16HA-125:E. These products have similar specifications in terms of capacity, speed, and type of memory technology used. -
Features
K4B4G1646E-BCK0 is a DRAM module with a capacity of 4GB. It operates at a speed of 1600MHz and has a voltage rating of 1.35V. It uses DDR3 technology and has a 512Mb memory organization. The module is designed for use in desktop computers and laptops. It is manufactured by Samsung. -
Pinout
The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip with a 96-ball FBGA package. Its pin count is 96. Functionally, it serves as a memory chip, commonly used in computer systems and other electronic devices for data storage and retrieval. -
Manufacturer
The manufacturer of the K4B4G1646E-BCK0 is Samsung. Samsung is a multinational conglomerate known for electronics, including smartphones, TVs, and semiconductor technology. They're one of the largest technology companies globally, with a significant presence in various sectors such as consumer electronics, semiconductors, and telecommunications. -
Application Field
The K4B4G1646E-BCK0 is a DDR4 SDRAM chip commonly used in computer memory modules. It finds application in various devices such as laptops, desktops, servers, and gaming consoles, enhancing their performance by providing high-speed data access and transfer capabilities. -
Package
The K4B4G1646E-BCK0 chip is a BGA package type with a form factor of 78-ball FBGA and a size of 8 Gb (1 GB).
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