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$5000MBT3906DW1T1G
Bipolar Transistors - BJT
Marken: onsemi
Herstellerteil #: MBT3906DW1T1G
Datenblatt: MBT3906DW1T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.309 Stück, Neues Original
Produktart: Bipolar Transistor Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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5 | $0,057 | $0,285 |
50 | $0,043 | $2,150 |
150 | $0,036 | $5,400 |
500 | $0,031 | $15,500 |
3000 | $0,027 | $81,000 |
6000 | $0,025 | $150,000 |
Auf Lager: 6.309 Stck
MBT3906DW1T1G Allgemeine Beschreibung
Meet the MBT3906DW1T1G Dual PNP Bipolar Transistor, the latest addition to our line of high-performance semiconductor devices. This cutting-edge transistor is specifically designed for amplifier applications and features a compact SOT-363 six-leaded surface mount package. By integrating two discrete devices into a single unit, this device offers unparalleled flexibility and efficiency, making it perfect for low-power surface mount applications where space is at a premium. With its rugged construction and reliable performance, the MBT3906DW1T1G is the ideal choice for demanding amplifier circuits
Funktionen
- Low Power Consumption
- Small Form Factor
- Fast Switching Time, < 200 ns
- High Efficiency, up to 95%
- Safe Operating Area, ±20 A
- Wide Temperature Range, -40°C to 125°C
Anwendung
Dual General Purpose Transistor
The MBT3906DW1T1 device is a spin−off of our popular SOT−23/SOT−323 three−leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−363 six−leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Power - Max | 150mW | Frequency - Transition | 250MHz |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Base Product Number | MBT3906 |
Versand
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