Bestellungen über
$5000MMBT5551LT1G
Reliable component for a wide range of electronic device
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MMBT5551LT1G
Datenblatt: MMBT5551LT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
20 | $0,029 | $0,580 |
200 | $0,022 | $4,400 |
600 | $0,019 | $11,400 |
3000 | $0,017 | $51,000 |
9000 | $0,017 | $153,000 |
21000 | $0,016 | $336,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
MMBT5551LT1G Allgemeine Beschreibung
The MMBT5551LT1G is a high voltage NPN Bipolar Transistor that stands out for its versatility in general purpose switching applications. Its compact SOT-23 package makes it ideal for lower power surface mount applications, offering efficiency and convenience in various electronic projects. With its reliable performance and high voltage capacity, this transistor is a must-have component for engineers and hobbyists looking to create efficient and reliable circuits
Funktionen
- Ultra-Low Power Consumption for Battery-Powered Devices
- High-Speed Digital Interface for Data Transfer
- Compact SOT-23 Package with Excellent Thermal Dissipation
- AEC-Q100 Qualified and PPAP Capable for Automotive and Medical Applications
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SOT-23-3 | Case Outline | 318-08 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
ON Target | N | Polarity | NPN |
Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.2 |
IC Cont. (A) | 0.6 | VCEO Min (V) | 160 |
VCBO (V) | 180 | VEBO (V) | 6 |
VBE(sat) (V) | 1 | hFE Min | 80 |
hFE Max | 250 | PTM Max (W) | 0.225 |
Pricing ($/Unit) | $0.0156Sample |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. | |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
Schritt1 :Produkt
-
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
Schritt5 :Verpackungskartons
-
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The MMBT5551LT1G is a high-speed switching transistor chip commonly used in electronic circuits. It is a general-purpose NPN bipolar junction transistor with a maximum collector current of 600mA and a maximum collector-emitter voltage of 160V. This chip is ideal for applications requiring fast switching speeds and low power consumption.
-
Equivalent
Some equivalent products of MMBT5551LT1G chip are MMBT5551LT1, MMBT5551-TP, and MMBT5551LT3G. -
Features
MMBT5551LT1G is a low voltage NPN transistor with high current gain and low saturation voltage. It has a low profile and small footprint, making it ideal for portable electronic devices. Additionally, it has a maximum power dissipation of 300mW and a maximum collector current of 0.6A. -
Pinout
The MMBT5551LT1G is a NPN bipolar junction transistor with a pin count of three (Base, Emitter, Collector) in a SOT-23 package. It is commonly used for amplification and switching applications in electronic circuits due to its high current and voltage ratings. -
Manufacturer
MMBT5551LT1G is manufactured by ON Semiconductor, an American semiconductor supplier company that specializes in power and analog semiconductor components. ON Semiconductor provides a variety of products for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
MMBT5551LT1G is commonly used as a general-purpose transistor for applications in amplification, switching, and signal processing circuits. It is frequently used in audio amplifiers, voltage regulators, oscillator circuits, and small signal amplifiers. Its high current gain and low noise make it suitable for a wide range of electronic devices and applications. -
Package
The MMBT5551LT1G chip is a general-purpose NPN amplifier transistor in a SOT-23 surface-mount package. It has a form factor of SOT-23 with a size of 2.9mm x 1.3mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte