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MMBT5551LT1G 48HRS

Reliable component for a wide range of electronic device

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: MMBT5551LT1G

Datenblatt: MMBT5551LT1G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
20 $0,029 $0,580
200 $0,022 $4,400
600 $0,019 $11,400
3000 $0,017 $51,000
9000 $0,017 $153,000
21000 $0,016 $336,000

Auf Lager: 9.458 Stck

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MMBT5551LT1G Allgemeine Beschreibung

The MMBT5551LT1G is a high voltage NPN Bipolar Transistor that stands out for its versatility in general purpose switching applications. Its compact SOT-23 package makes it ideal for lower power surface mount applications, offering efficiency and convenience in various electronic projects. With its reliable performance and high voltage capacity, this transistor is a must-have component for engineers and hobbyists looking to create efficient and reliable circuits

Funktionen

  • Ultra-Low Power Consumption for Battery-Powered Devices
  • High-Speed Digital Interface for Data Transfer
  • Compact SOT-23 Package with Excellent Thermal Dissipation
  • AEC-Q100 Qualified and PPAP Capable for Automotive and Medical Applications

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Active Compliance PbAHP
Package Type SOT-23-3 Case Outline 318-08
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 3000
ON Target N Polarity NPN
Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 0.2
IC Cont. (A) 0.6 VCEO Min (V) 160
VCBO (V) 180 VEBO (V) 6
VBE(sat) (V) 1 hFE Min 80
hFE Max 250 PTM Max (W) 0.225
Pricing ($/Unit) $0.0156Sample

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The MMBT5551LT1G is a high-speed switching transistor chip commonly used in electronic circuits. It is a general-purpose NPN bipolar junction transistor with a maximum collector current of 600mA and a maximum collector-emitter voltage of 160V. This chip is ideal for applications requiring fast switching speeds and low power consumption.
  • Equivalent

    Some equivalent products of MMBT5551LT1G chip are MMBT5551LT1, MMBT5551-TP, and MMBT5551LT3G.
  • Features

    MMBT5551LT1G is a low voltage NPN transistor with high current gain and low saturation voltage. It has a low profile and small footprint, making it ideal for portable electronic devices. Additionally, it has a maximum power dissipation of 300mW and a maximum collector current of 0.6A.
  • Pinout

    The MMBT5551LT1G is a NPN bipolar junction transistor with a pin count of three (Base, Emitter, Collector) in a SOT-23 package. It is commonly used for amplification and switching applications in electronic circuits due to its high current and voltage ratings.
  • Manufacturer

    MMBT5551LT1G is manufactured by ON Semiconductor, an American semiconductor supplier company that specializes in power and analog semiconductor components. ON Semiconductor provides a variety of products for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    MMBT5551LT1G is commonly used as a general-purpose transistor for applications in amplification, switching, and signal processing circuits. It is frequently used in audio amplifiers, voltage regulators, oscillator circuits, and small signal amplifiers. Its high current gain and low noise make it suitable for a wide range of electronic devices and applications.
  • Package

    The MMBT5551LT1G chip is a general-purpose NPN amplifier transistor in a SOT-23 surface-mount package. It has a form factor of SOT-23 with a size of 2.9mm x 1.3mm.

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    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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