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MACOM MRF151G 48HRS

RF Power Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE 375-04, 4 PIN

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Macom

Herstellerteil #: MRF151G

Datenblatt: MRF151G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: 375-04

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8.746 Stück, Neues Original

Produktart: RF FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $417,765 $417,765
200 $161,669 $32333,800
500 $155,988 $77994,000
1000 $153,181 $153181,000

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MRF151G Allgemeine Beschreibung

The MRF151G's gold metallization system provides exceptional reliability and thermal conductivity, making it a durable and efficient choice for a wide range of operating temperatures. Its low thermal resistance and input/output capacitances contribute to high efficiency and stability in high-power settings, ensuring consistent performance even in harsh environments. Whether you're a dedicated amateur radio enthusiast or a military professional in need of a dependable RF power transistor, the MRF151G delivers the power and reliability you can trust

Funktionen

  • Fast response time for dynamic applications
  • Excellent thermal stability and reliability
  • Multimode operation with precise control
    • Precise frequency control for high accuracy
    • High power handling capacity for demanding loads
    • Rugged construction for harsh conditions

    Anwendung

    • Powerful RF amplifiers
    • Advanced radar tech
    • Industrial RF systems
    • RF heating solutions
    • Wireless infrastructure
    • Medical RF equipment

    Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Product Category RF MOSFET Transistors RoHS Details
    Transistor Polarity N-Channel Technology Si
    Id - Continuous Drain Current 40 A Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 125 V
    Operating Frequency 175 MHz Gain 14 dB
    Output Power 300 W Minimum Operating Temperature - 65 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Mounting Style SMD/SMT
    Brand MACOM Configuration Dual
    Pd - Power Dissipation 500 W Product Type RF MOSFET Transistors
    Factory Pack Quantity 10 Subcategory MOSFETs
    Type RF Power MOSFET Vgs - Gate-Source Voltage 40 V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
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  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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