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$5000MSC035SMA070B4
Silicon carbide MOSFET rated at 700 volts and 35 milliohms in TO-247-4 package
Marken: Microchip Technology
Herstellerteil #: MSC035SMA070B4
Datenblatt: MSC035SMA070B4 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.072 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MSC035SMA070B4 Allgemeine Beschreibung
Microchip's SiC MOSFET device, MSC035SMA070B4, is a cutting-edge solution for modern applications. Its high-performance capabilities enable system efficiency maximization while minimizing weight and size concerns. By leveraging Microchip's expertise in SiC technology, this product ensures reliable performance over the equipment's lifespan, ensuring no degradation or downtime. With its innovative design and rugged construction, MSC035SMA070B4 is an excellent choice for demanding applications that require high-speed switching and efficient energy conversion
Funktionen
- Excellent thermal stability
- Magnetic immunity assured
- EMI emission minimized
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 30A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 2mA (Typ) | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +23V, -10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 700 V |
| Power Dissipation (Max) | 283W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
Versand
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|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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