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NDS352AP
Channel 30V 0.9A MOSFET SuperSOT
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: NDS352AP
Datenblatt: NDS352AP Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SSOT-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.536 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,097 | $0,485 |
| 50 | $0,080 | $4,000 |
| 150 | $0,071 | $10,650 |
| 500 | $0,065 | $32,500 |
| 3000 | $0,054 | $162,000 |
| 6000 | $0,051 | $306,000 |
Auf Lager: 5.536 Stck
NDS352AP Allgemeine Beschreibung
Thanks to its high cell density design, the NDS352AP delivers superior results in a compact package. ON Semiconductor's proprietary DMOS technology ensures that this transistor provides exceptional on-state resistance, making it a standout choice for demanding applications where efficiency is key. With a focus on maximizing performance while minimizing power consumption, this transistor is the perfect solution for engineers looking to optimize their designs
Funktionen
- -1.5 A, -20 V
rDS(ON) = 0.8 Ω @ VGS = -4 V - Robust Operation Over Temperature Range
- High Repetitive Rate Capability
Anwendung
- Perfect for everyday use
- Great for a variety of uses
- Versatile and dependable
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 900 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 3 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Series | NDS352AP |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 17 ns, 16 ns | Height | 1.12 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 17 ns, 16 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 8 ns | Width | 1.4 mm |
| Part # Aliases | NDS352AP_NL |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The NDS352AP is a high-performance, low-power audio amplifier chip designed for use in portable electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops. It offers excellent sound quality and efficiency, making it ideal for applications where space and battery life are critical factors. The chip also features built-in protection mechanisms to ensure reliable operation and prevent damage to connected devices.
-
Equivalent
The equivalent products of NDS352AP chip are DMN1052UCB4, UDN2985A and NDS355AN/NDS355AM. These chips perform similar functions and can be used interchangeably with NDS352AP. -
Features
NDS352AP is a high-performance SO2 gas sensor with a measurement range of 0-20ppm. It features low power consumption, low drift, and high sensitivity. The sensor is suitable for portable devices and environmental monitoring applications. -
Pinout
The NDS352AP is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor. It has a pin count of 8 pins. Pin functions are as follows: Pin 1: Gate 1, Pin 2: Gate 1, Pin 3: Source 1, Pin 4: Drain 1, Pin 5: Drain 2, Pin 6: Source 2, Pin 7: Gate 2, Pin 8: Gate 2. -
Manufacturer
The manufacturer of the NDS352AP is Nuvoton Technology Corporation. Nuvoton is a semiconductor company based in Taiwan that specializes in microcontrollers, audio products, and mixed-signal integrated circuits. They focus on providing innovative solutions for a wide range of applications, including consumer electronics, industrial automation, and automotive systems. -
Application Field
The NDS352AP is commonly used in automotive applications such as engine control units, airbag systems, and anti-lock braking systems. It is also used in industrial automation, medical equipment, and home appliance control systems. Its low power consumption and high reliability make it suitable for various embedded system control applications. -
Package
The NDS352AP chip is available in a surface mount package type, in a BGA (ball grid array) form, and measures 7mm x 7mm x 0.75mm in size.
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