NJW21194G
NPN Bipolar Junction Transistor with 250V voltage rating and 16A current rating
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: NJW21194G
Datenblatt: NJW21194G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3P-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 4034 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMNJW21194G Allgemeine Beschreibung
The NJW21194G is a high-power NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for audio amplifier and power switching applications. It belongs to the NJW21193G/NJW21194G/NJW21195G series manufactured by ON Semiconductor. With a voltage rating of 250 volts and a current rating of 16 amps, it can handle significant power levels. This transistor is housed in a TO-3P package, which provides good thermal performance and ease of mounting. It features a high gain and low saturation voltage, making it suitable for high-fidelity audio amplifiers where low distortion is essential. Its high collector current capability makes it suitable for power switching applications as well.The NJW21194G offers excellent linearity and reliability, which are crucial for audio amplification tasks. Its high voltage and current ratings make it robust for various industrial and automotive applications where high power handling is necessary.
Funktionen
Anwendung
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | TO-3P-3 | Case Outline | 340AB |
MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
Container Type | TUBE | Container Qty. | 30 |
ON Target | Y | Polarity | NPN |
Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 4 |
IC Cont. (A) | 16 | VCEO Min (V) | 250 |
VCBO (V) | 400 | VEBO (V) | 5 |
VBE(on) (V) | 2.2 | hFE Min | 20 |
hFE Max | 70 | fT Min (MHz) | 4 |
PTM Max (W) | 200 |
Versand
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