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NSV60600MZ4T1G
Bipolar Transistors - BJT PNP LOW VCE(SAT)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NSV60600MZ4T1G
Datenblatt: NSV60600MZ4T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-261-4,TO-261AA
RoHS-Status:
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Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,369 | $0,369 |
| 10 | $0,314 | $3,140 |
| 30 | $0,286 | $8,580 |
| 100 | $0,259 | $25,900 |
| 500 | $0,241 | $120,500 |
| 1000 | $0,232 | $232,000 |
Auf Lager: 6.446 Stck
NSV60600MZ4T1G Allgemeine Beschreibung
The NSV60600MZ4T1G Bipolar Transistor offers a unique combination of features that set it apart from other transistors on the market. Its low saturation voltage means that it can operate efficiently even under high load conditions, making it an ideal choice for power-sensitive applications. Additionally, its high gain allows for precise control over the transistor's output, ensuring that your circuits operate smoothly and reliably. Whether you are working on a new project or upgrading an existing design, this transistor is sure to meet your performance requirements
Funktionen
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High DC Current Gain
- High Current-Gain Bandwidth Product
- Superior gain linearity
- NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
- These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Anwendung
- Linear voltage regulation
- Power management for portable devices
- Switching regulator
- Inductive load driver (e.g. motors, fans, relays)
- Linear controls
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V | Power - Max | 800 mW |
| Frequency - Transition | 100MHz | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NSV60600MZ4T1G is a power management chip designed for use in portable electronic devices. It features multiple power management functions including voltage regulation and power monitoring, all in a compact and efficient package. This chip is ideal for applications where space and power efficiency are critical considerations.
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Equivalent
Some equivalent products of NSV60600MZ4T1G chip are Maxim MAX60600, Texas Instruments TPS731xx, Analog Devices ADP120, and ON Semiconductor NCP612. -
Features
NSV60600MZ4T1G is a high-performance 60 GHz millimeter wave radar sensor that offers accurate distance measurement, object detection, and tracking capabilities. It features a compact size, low power consumption, and multiple target tracking functionality, making it ideal for various industrial and automotive applications. -
Pinout
The NSV60600MZ4T1G is a 40-pin QFN package semiconductor device used for power management and voltage regulation in electronic circuits. It provides multiple output voltage rails and can handle high power loads. Its pins are used for input voltage, ground, control signals, and various output voltages. -
Manufacturer
NSV60600MZ4T1G is manufactured by ON Semiconductor, a multinational corporation that produces power and signal management, logic, discrete, and custom devices for a variety of industries including automotive, communications, and industrial applications. -
Application Field
NSV60600MZ4T1G is a high-power RF transistor ideally suited for applications in radar systems, industrial heating, plasma generation, and medical equipment requiring high-frequency operation. It is commonly used in industrial and medical RF applications where high power and efficiency are critical. -
Package
The NSV60600MZ4T1G chip is packaged in a surface-mount, plastic, 4-pin TO-252 form. The size of the chip is 2.94x6.22 mm.
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