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$5000NSS20201LT1G
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 2 A 150MHz 460 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NSS20201LT1G
Datenblatt: NSS20201LT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NSS20201LT1G Allgemeine Beschreibung
When it comes to energy-efficient and cost-effective switching solutions, the NSS20201LT1G Bipolar Transistor stands out as a top contender. Its low VCE(sat) and high current gain capabilities make it a powerhouse in the world of miniature surface mount devices, providing unparalleled performance in low-voltage, high-speed applications. Whether you're working on a sensitive project or simply seeking a reliable component for your circuitry, this transistor is sure to exceed your expectations and deliver the results you need
Funktionen
- High Speed, Low Power, High Temperature
- Low Noise, Low Distortion, High Gain
- Automotive Grade, Low EMI, High Reliability
- ESD Robust, Low Current, High Accuracy
- High Frequency, Low Phase Noise, High Isolation
- Low Power Consumption, High Efficiency, High Performance
Anwendung
- Power Management, LED Lighting
- High Efficiency, Low Cost Solution
- Voltage Regulation, Current Limiting
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Details | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 | Transistor Polarity: | NPN |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 20 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 72 mV | Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Pd - Power Dissipation: | 540 mW | Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | NSS20201L | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | Continuous Collector Current: | 2 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 | Height: | 0.94 mm |
| Length: | 2.9 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si | Width: | 1.3 mm |
| Unit Weight: | 0.000282 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NSS20201LT1G chip is a low capacitance transient voltage suppressor (TVS) diode designed to protect sensitive electronic components from voltage transients caused by electrostatic discharge (ESD) and other transient voltage events. It provides fast response and low clamping voltage to prevent damage to devices like ICs, connectors, and circuit boards. The chip is suitable for a wide range of applications in industrial, automotive, and consumer electronics.
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Equivalent
The equivalent products of the NSS20201LT1G chip are ON Semiconductor's NVMFS5C426NLBT1G and NVMFS5C426NLT1G. -
Features
The features of NSS20201LT1G include a low forward voltage drop, small surface mount package, high current capacity, low leakage current, high surge current capability, and high temperature operation. These features make it suitable for various applications in power management and switching circuits. -
Pinout
The NSS20201LT1G is a dual depletion mode lateral double diffused MOSFET. It has a pin count of 5. The functions of the pins include drain 1 (D1), gate 1 (G1), source 1 (S1), drain 2 (D2), and source 2 (S2). -
Manufacturer
The manufacturer of the NSS20201LT1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and distributes a wide range of power management and analog semiconductor solutions. -
Application Field
The NSS20201LT1G is a low capacitance TVS (Transient Voltage Suppressor) diode. It is commonly used for ESD (Electrostatic Discharge) protection in various electronic applications, including mobile devices, automotive electronics, industrial equipment, and communication systems. -
Package
The NSS20201LT1G chip is in a surface mount package, specifically referred to as SOT-23-6, with a form of a rectangular outline and dimensions approximately 2.9mm x 1.3mm.
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