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NTBG020N090SC1
N-Channel 900 V 9.8A (Ta), 112A (Tc) 3.7W (Ta), 477W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NTBG020N090SC1
Datenblatt: NTBG020N090SC1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK-7
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $21,743 | $21,743 |
30 | $20,901 | $627,030 |
Auf Lager: 9.458 Stck
NTBG020N090SC1 Allgemeine Beschreibung
The NTBG020N090SC1 is a Silicon Carbide (SiC) MOSFET that boasts cutting-edge technology, delivering superior switching performance and increased reliability when compared to traditional Silicon technology. Its low ON resistance and compact chip size also contribute to lower capacitance and gate charge, resulting in higher efficiency and faster operation frequency for the system. With these features, users can expect increased power density, reduced EMI, and a smaller overall system size
Funktionen
- Low RDSon
- Ultra Low Gate Charge (Qg tot)
- Low Output Capacitance (Coss)
- 100% UIL Tested
- RoHS Compliant
Anwendung
- Electronic Component
- Efficient Technology
- Renewable Energy
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | SiC |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | D2PAK-7 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V | Id - Continuous Drain Current: | 112 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 22 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V | Qg - Gate Charge: | 200 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 477 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | MouseReel | Brand: | onsemi |
Configuration: | Single | Fall Time: | 13 ns |
Forward Transconductance - Min: | 49 S | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 52 ns | Factory Pack Quantity: | 800 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 39 ns |
Unit Weight: | 0.164906 oz |
Versand
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