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$5000NTD12N10G
100V 12A N-channel MOSFET for power applications
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NTD12N10G
Datenblatt: NTD12N10G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.864 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NTD12N10G Allgemeine Beschreibung
The DPAK case style and SMD termination type provide easy installation and compatibility with modern PCB designs. The NTD12N10G also features a low threshold voltage of 3.1V, allowing for precise control over the switching characteristics. Additionally, the high avalanche single pulse energy rating of 75mJ makes this MOSFET suitable for rugged environments and transient voltage events
Funktionen
- Avalanche Energy and IDSS Specified.
- Pb-Free Packaging Options Available.
- Elevated Temperature Operation Tested.
Anwendung
- Security Systems
- Telecommunications
- Consumer Electronics
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 12 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 165 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 1.76 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | onsemi | Configuration | Single |
Fall Time | 32 ns | Forward Transconductance - Min | 7 S |
Height | 2.38 mm | Length | 6.73 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 30 ns |
Factory Pack Quantity | 75 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
Width | 6.22 mm |
Versand
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