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$5000NTD32N06LT4G
Surface mount DPAK package suitable for compact designs
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NTD32N06LT4G
Datenblatt: NTD32N06LT4G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.145 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NTD32N06LT4G Allgemeine Beschreibung
Meet the NTD32N06LT4G, a cutting-edge MOSFET transistor built for demanding tasks. Its high Drain Source Voltage (Vds) of 60V and impressive Continuous Drain Current (Id) of 32A make it a reliable choice for heavy-duty applications that require exceptional performance. The ultra-low On Resistance (Rds(on)) of 0.028ohm ensures minimal power dissipation and maximizes efficiency during operation. The Rds(on) Test Voltage (Vgs) of 5V and Threshold Voltage (Vgs Typ) of 1.7V give this transistor the flexibility needed to work with various voltage levels. Housed in a sturdy 3-DPAK package, the NTD32N06LT4G is designed to withstand tough conditions while maintaining optimal functionality. Plus, with its RoHS compliance, you can trust that this transistor is environmentally friendly and meets strict regulations
Funktionen
- Smaller Size and Lower Power Consumption
- Faster Switching Time and Tighter Control
- Larger Current Rating and Improved Reliability
Anwendung
- Electric Vehicles
- UPS Systems
- Industrial Machinery
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DPAK-3 (TO-252-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 32 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 23.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 93.75 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | onsemi | Configuration | Single |
Fall Time | 128 ns | Forward Transconductance - Min | 27 S |
Height | 2.38 mm | Length | 6.73 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 221 ns |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 37 ns | Typical Turn-On Delay Time | 12.8 ns |
Width | 6.22 mm |
Versand
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