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$5000NTMFS5C604NLT1G
Single N−Channel Power MOSFET 60V, 272A, 1.2 mΩ
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NTMFS5C604NLT1G
Datenblatt: NTMFS5C604NLT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DFN5
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.861 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NTMFS5C604NLT1G Allgemeine Beschreibung
The NTMFS5C604NLT1G is a power MOSFET transistor with an N-channel configuration, designed for high current applications. With a continuous drain current rating of 276A and a drain-source voltage of 60V, this transistor is capable of handling heavy loads and providing efficient power delivery. The on-resistance of the NTMFS5C604NLT1G is specified at 930µohm, ensuring minimal power loss and heat dissipation during operation. This low on-resistance is achieved with a test voltage of 10V, while the threshold voltage required to turn on the transistor is 2V
Funktionen
- High surge capability
- Low input impedance
- Rugged mechanical construction
- Suitable for medical equipment
Anwendung
- Smart Home Devices
- Renewable Energy Sources
- Power Distribution Units
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | onsemi | Product Category | MOSFET |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DFN-5 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 287 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 120 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 200 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | onsemi | Configuration | Single |
| Fall Time | 81.3 ns | Forward Transconductance - Min | 180 S |
| Height | 1 mm | Length | 5.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 79.1 ns |
| Factory Pack Quantity | 1500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 57.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 21.8 ns | Width | 4.9 mm |
| Unit Weight | 0.006173 oz |
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