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NTR4170NT1G
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NTR4170NT1G
Datenblatt: NTR4170NT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.260 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,182 | $0,910 |
| 50 | $0,145 | $7,250 |
| 150 | $0,129 | $19,350 |
| 500 | $0,110 | $55,000 |
| 3000 | $0,101 | $303,000 |
| 6000 | $0,095 | $570,000 |
Auf Lager: 7.260 Stck
NTR4170NT1G Allgemeine Beschreibung
The NTR4170NT1G Mosfet is a reliable and efficient N-Channel transistor, perfect for a variety of electronic applications. With a Continuous Drain Current rating of 2.4A and a Drain-Source Voltage of 30V, this Mosfet offers strong performance in a small SOT-23-3 package. The low On Resistance of 0.045Ohm ensures minimal power loss and heat generation, making it ideal for high-efficiency designs. Additionally, the Rohs compliance guarantees that this product meets strict environmental standards
Funktionen
- High Current Capability
- Low Input Resistance
- Compact Design Available
- Improved Thermal Management
- Fast Rise Time Guaranteed
- Durable Construction Ensured
Anwendung
- Sleek and Portable
- Integrated Circuitry
- Seamless Power Transfer
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3.2A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.76 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 432 pF @ 15 V | Power Dissipation (Max) | 480mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Base Product Number | NTR4170 |
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Teilpunkte
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NTR4170NT1G is an integrated circuit chip developed by ON Semiconductor. It is a low-power, high-performance, and compact device designed for various applications in automotive systems, such as driver monitoring and vision systems. The chip incorporates advanced image sensing and processing capabilities, enabling reliable and efficient operation in automotive environments.
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Features
The NTR4170NT1G is a dual N-channel power MOSFET with a low on-resistance and a high current rating. It features high power density, low gate drive requirements, and excellent thermal efficiency. This device is suitable for applications requiring high power density and efficiency, such as power supplies, motor drives, and automotive systems. -
Pinout
The NTR4170NT1G is a dual-gate digital transistor. It has a pin count of 3, with pins labeled as Base 1, Base 2, and Emitter. The function of the NTR4170NT1G is to amplify and switch digital signals in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTR4170NT1G is ON Semiconductor. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in producing energy-efficient power and signal management, logic, discrete, and custom devices. ON Semiconductor offers a wide range of innovative solutions for various industries, including automotive, industrial, communication, and consumer electronics. -
Application Field
The NTR4170NT1G is a high-power wideband RF amplifier. It can be used in various application areas such as wireless communication systems, cellular base stations, satellite communication, defense and aerospace, medical equipment, and instrumentation. -
Package
The NTR4170NT1G chip has a surface mount package type, known as SOT-23, which are commonly used for small integrated circuits. The form refers to the physical appearance of the package, which is a small rectangular shape. The size of the chip is approximately 2.9 mm x 1.3 mm.
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