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$5000NVGS5120PT1G
P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NVGS5120PT1G
Datenblatt: NVGS5120PT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,635 | $0,635 |
10 | $0,478 | $4,780 |
30 | $0,392 | $11,760 |
100 | $0,295 | $29,500 |
500 | $0,251 | $125,500 |
1000 | $0,232 | $232,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
NVGS5120PT1G Allgemeine Beschreibung
This automotive power MOSFET, model NVGS5120PT1G, is designed specifically for low power applications in the automotive industry. With a voltage rating of -60V and a current rating of -2.9A, this MOSFET is ideal for use in various automotive systems. The single P-Channel design and low on-state resistance of 111 mΩ make it a reliable component for power management
Funktionen
- Fully RoHS Compliant
- Low Power Consumption
- PFC Function for High Efficiency
- Automotive Grade and Reliable Performance
- Surface Mount Technology for Space Saving
- High Surge Current Capability and Low ESR
Anwendung
- Quick installation
- Versatile use
- Sturdy construction
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSOP-6 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 72 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 18.1 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 1.1 W | Channel Mode: | Enhancement |
Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | onsemi | Configuration: | Single |
Fall Time: | 12.8 ns | Forward Transconductance - Min: | 10.1 S |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 4.9 ns |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 8.7 ns |
Versand
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