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$5000PSMN022-30PL,127
Logic level MOSFET featuring N-channel design, with a 30-volt operational capacity and an on-resistance of 22 milliohms
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Marken: Nexperia USA Inc.
Herstellerteil #: PSMN022-30PL,127
Datenblatt: PSMN022-30PL,127 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.113 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PSMN022-30PL,127 Allgemeine Beschreibung
The PSMN022-30PL,127 MOSFET combines high performance with versatility, making it a valuable component for a wide range of electronic devices. Its N-channel transistor polarity allows for easy integration into existing circuit designs, while the 30A continuous drain current rating ensures reliability in demanding applications. The 30V drain-source voltage capability accommodates different voltage levels, and the 19mohm on-resistance helps to optimize power efficiency. With a threshold voltage of 1.7V, this MOSFET provides precise control over switching operations
Funktionen
- Compact size saves space in applications
- Wide operating temperature range ensured
- Suitable for harsh industrial environments
- Easily integrated into existing systems
Anwendung
- Sensor networks
- Wireless chargers
- Solar tracking
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Tube | Product Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 447 pF @ 15 V |
Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-220AB |
Package / Case | TO-220-3 |
Versand
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