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$5000Infineon PTFA043002E V1
RF Mosfet 32 V 1.55 A 800MHz 16dB 100W H-30275-4
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Marken: Infineon
Herstellerteil #: PTFA043002E V1
Datenblatt: PTFA043002E V1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: H-30275-4
Produktart: RF FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PTFA043002E V1 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 32 V 1.55 A 800MHz 16dB 100W H-30275-4
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 1.55 A |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
Operating Frequency: | 470 MHz to 860 MHz | Gain: | 16 dB |
Output Power: | 300 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | H-30275-4 | Packaging: | Tray |
Brand: | Infineon Technologies | Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual | Height: | 4.55 mm |
Length: | 41.15 mm | Pd - Power Dissipation: | 761 W |
Product Type: | RF MOSFET Transistors | Factory Pack Quantity: | 1 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | LDMOS FET |
Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | 12 V |
Width: | 10.16 mm |
Versand
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