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$5000RFG60P05E
P-Ch Power MOSFET TO-247
Marken: ONSEMI
Herstellerteil #: RFG60P05E
Datenblatt: RFG60P05E Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.843 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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RFG60P05E Allgemeine Beschreibung
P-Channel 50 V 60A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-247-3
Funktionen
Formerly developmental type TA09835.
60A, 50V
rDS(ON) = 0.030
Temperature Compensating PSPICE Model
2kV ESD Rated
Peak Current vs Pulse Width Curve
UIS Rating Curve
175C Operating Temperature
Related Literature
- TB334 Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Obsolete | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 60A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 450 nC @ 20 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 215W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The RFG60P05E chip is a power MOSFET transistor designed for applications that require high-voltage switching and low on-resistance. It is manufactured by Renesas Electronics Corporation. The chip can handle a maximum voltage of 60V and has a low on-resistance of 61mΩ. It is commonly used in various industrial and automotive applications where efficient power delivery is crucial.
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Equivalent
The equivalent products of the RFG60P05E chip include 2N7002PW, BUK7M3R5-60E, IRF530N, STP40NF10L, and IRF9540N. -
Features
The RFG60P05E is a 600V, 60A N-channel MOSFET transistor designed for power applications. It features a low on-resistance, high efficiency, and a compact TO-220AB package. It can handle high current levels with minimal power losses, making it suitable for a wide range of power electronics and industrial applications. -
Pinout
The RFG60P05E is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the switching of the transistor, while the drain and source pins are used for the flow of current. -
Manufacturer
The manufacturer of the RFG60P05E is Samsung Electronics. It is a multinational technology company specializing in the production of consumer electronics, mobile devices, and home appliances. -
Application Field
The RFG60P05E is a power MOSFET transistor commonly used in power management applications. It can be utilized in various areas such as motor control, power supplies, inverters, and DC-DC converters. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for high-current applications that require efficient power switching. -
Package
The RFG60P05E chip is available in a TO-247 package type, which is a popular power transistor package. The form is through-hole, meaning it has metal leads that can be soldered onto a circuit board. The size of the chip itself may vary, but the TO-247 package typically measures around 15mm x 20mm.
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