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RQ3L050GNTB
RQ3L050GNTB is a MOSFET component featuring a voltage rating of 60V, with a current handling capacity of 12A, and a low on-resistance of 61mΩ at 5A
Marken: ROHM Semiconductor
Herstellerteil #: RQ3L050GNTB
Datenblatt: RQ3L050GNTB Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: HSMT-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.732 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,210 | $0,210 |
| 10 | $0,171 | $1,710 |
| 30 | $0,153 | $4,590 |
| 100 | $0,132 | $13,200 |
| 500 | $0,122 | $61,000 |
| 1000 | $0,116 | $116,000 |
Auf Lager: 8.732 Stck
RQ3L050GNTB Allgemeine Beschreibung
N-Channel 60 V 12A (Tc) 14.8W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | HSMT-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 43 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 5.3 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 14.8 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
| Fall Time | 3.7 ns | Forward Transconductance - Min | 3.5 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 4.9 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 17.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.4 ns | Part # Aliases | RQ3L050GN |
| Unit Weight | 0.007728 oz |
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|---|---|---|---|
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