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$5000RSJ300N10TL
Low resistance MOSFET power device
Marken: Rohm Semiconductor
Herstellerteil #: RSJ300N10TL
Datenblatt: RSJ300N10TL Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK-3 (TO-263-3)
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.310 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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RSJ300N10TL Allgemeine Beschreibung
The RSJ300N10TL power MOSFET transistor manufactured by Rohm Semiconductor is a high-performance N-channel transistor designed for demanding industrial and automotive applications. With a VDS of 100V, a continuous drain current of 30A, and a low on-resistance of 0.04 ohms, it offers efficient power management capabilities suitable for power supplies, DC-DC converters, motor control, and other high-power electronics. Its gate threshold voltage of 2.5V makes it compatible with logic level drives, and the TO-220F package provides the thermal resistance and mechanical robustness required for reliable performance in harsh environments
Funktionen
- High-current power management systems
- Wide temperature range operation
- Fast recovery times for inductive loads
- Safe operating area for reliable performance
Anwendung
- Excellent for solar tracking
- Used in surgical robots
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 50 W | Channel Mode | Enhancement |
| Series | RSJ300N10 | Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single | Fall Time | 180 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 65 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | Part # Aliases | RSJ300N10 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
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