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RU1J002YNTCL

N-channel MOSFET, SOT323FL package, 50V, 200mA

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Rohm Semiconductor

Herstellerteil #: RU1J002YNTCL

Datenblatt: RU1J002YNTCL Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SC-85

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6.421 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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RU1J002YNTCL Allgemeine Beschreibung

Innovation meets versatility in the RU1J002YNTCL MOSFET product line, which caters to a wide range of market requirements with its diverse offerings. Engineered for superior performance and energy efficiency, these components feature ultra-low ON-resistance achieved through advanced micro-processing technologies. From compact designs suited for portable devices to high-power options for more demanding applications, this product lineup ensures that customers have access to solutions that align with their specific needs and preferences

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0.9V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA
Vgs (Max) ±8V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta) Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package UMT3F
Package / Case SC-85

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The RU1J002YNTCL chip is a low-power, RF front-end module designed for use in wireless communication applications. It combines a power amplifier, low-noise amplifier, and RF switch into a single compact package, providing improved performance and efficiency in a small footprint. The chip is ideal for use in IoT devices, smart meters, and other low-power wireless applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the RU1J002YNTCL chip are: STMicroelectronics ST25RU3993, NXP Semiconductors SL3S1203, and Alien Technology ALN-9768-WHAT-ET.
  • Features

    The RU1J002YNTCL is a high-power RF transistor designed for commercial and military applications. It offers excellent power gain, efficiency, and high operating frequency up to 1 GHz. It provides high reliability and ruggedness in a compact package, making it ideal for use in demanding environments.
  • Pinout

    RU1J002YNTCL is a quad-channel ESD protection diode with a pin count of 12. It is designed to protect sensitive electronics from electrostatic discharge (ESD) and surge events. Each channel consists of two diodes to protect both signal lines and power supplies.
  • Manufacturer

    RU1J002YNTCL is manufactured by Murata Manufacturing Co., Ltd. which is a Japanese multinational electronics company that specializes in the design, manufacture, and sale of electronic components and solutions. They offer a wide variety of products including capacitors, inductors, filters, sensors, and more for a range of industries such as automotive, healthcare, and telecommunications.
  • Application Field

    Some potential application areas for RU1J002YNTCL include industrial automation, robotics, and motor control. This high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module is designed for high-performance and efficiency in controlling electric motors and other high-power electronics in various industrial settings.
  • Package

    The RU1J002YNTCL chip is a power amplifier module with a package type of MCM, form of SMD, and size of 5.0 x 5.0 mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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