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$5000SD56120
Trans RF MOSFET N-CH 65V 14A 5-Pin Case M-246 Loose
Marken: STMICROELECTRONICS
Herstellerteil #: SD56120
Datenblatt: SD56120 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: M246
Produktart: RF FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.839 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SD56120 Allgemeine Beschreibung
This transistor is ideal for amplifying signals in radio frequency power amplifiers, base stations, and radar systems. Its push-pull configuration allows for improved linearity and reduced distortion, making it suitable for high-power applications where signal integrity is critical. The 120W output power ensures robust performance, while the wide frequency range up to 1GHz accommodates various communication standards
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | SD56120 | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS | Package Description | PLASTIC, M246, 4 PIN |
| Pin Count | 4 | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
| Case Connection | SOURCE | Configuration | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| DS Breakdown Voltage-Min | 65 V | Drain Current-Max (ID) | 14 A |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Highest Frequency Band | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 Code | R-PDFM-F4 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 217 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
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