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$5000SPA11N80C3XKSA1
Silicon-based Metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) with 11A current handling and 0.45ohm resistance
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: SPA11N80C3XKSA1
Datenblatt: SPA11N80C3XKSA1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3FullPack
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.719 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SPA11N80C3XKSA1 Allgemeine Beschreibung
In summary, the SPA11N80C3XKSA1 is a versatile and efficient semiconductor component that offers superior electrical characteristics and thermal performance. Its N-Channel design and TO-220AB package make it easy to incorporate into existing circuits, while its high voltage and current ratings ensure reliable operation in demanding environments. With a focus on sustainability and quality, this Power FET is a reliable choice for engineers looking to optimize power efficiency and performance in their designs
Funktionen
- Low noise and electromagnetic interference
- Compact lead-frame package
- Excellent thermal dissipation
- Highest power density
Anwendung
- Hybrid power systems
- Uninterruptible power supplies
- Sustainable energy solutions
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | CoolMOS™ | Package | Tube |
Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-31 | Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Base Product Number | SPA11N80 |
Versand
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Verpackung
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SPA11N80C3XKSA1 is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It has a voltage rating of 800V and a continuous drain current of 11A. This chip is suitable for use in power supplies, industrial equipment, and motor control applications.
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Equivalent
The equivalent products of SPA11N80C3XKSA1 chip are Infineon IPP110N08S2-11 and STMicroelectronics STW9N80K5. These are power MOSFETs with similar specifications and characteristics, suitable for various power applications. -
Features
Some key features of SPA11N80C3XKSA1 include an N-channel enhancement mode power MOSFET, 11A continuous drain current, 25V drain-source voltage, low on-resistance, high switching speed, fully avalanche rated, and improved dv/dt capability. It is suitable for a wide range of applications including power supplies, motor control, and power management systems. -
Pinout
The SPA11N80C3XKSA1 is a power MOSFET with a TO-220-3 package. It has a pin count of 3, with the function of each pin being gate, drain, and source respectively. The MOSFET is designed for high voltage and high current applications. -
Manufacturer
SPA11N80C3XKSA1 is manufactured by Infineon Technologies, a leading semiconductor company based in Germany. Infineon specializes in the design and production of a wide range of semiconductor products for various applications including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
SPA11N80C3XKSA1 can be used in a variety of applications such as high voltage switching power supplies, DC-DC converters, motor control, and ballast control circuits for lighting. It is suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications where a high voltage, high power MOSFET is needed. -
Package
The SPA11N80C3XKSA1 chip is housed in a TO-220 package with a through-hole mounting style. It has a form of single transistor and a size of 10.8mm x 10.4mm x 4.1mm.
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