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$5000TOSHIBA SSM6J511NU,LF
12V 14A P-Channel MOSFET in compact UDFN6B package
Marken: Toshiba
Herstellerteil #: SSM6J511NU,LF
Datenblatt: SSM6J511NU,LF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: UDFN-6
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SSM6J511NU,LF Allgemeine Beschreibung
The SSM6J511NU,LF boasts fast switching performance, thanks to its low gate charge (Qg) of just 4.7nC. This enables rapid transitions between on and off states, reducing power losses and minimizing the risk of thermal runaway
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | UDFN-6 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V | Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | U-MOSVII | Series: | SSM6J511 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single | Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Height: | 0.75 mm | Length: | 2 mm |
| Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Width: | 2 mm |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SSM6J511NU,LF chip is a small signal MOSFET specifically designed for use in power management applications. It offers high performance, low on-resistance, and low gate charge for efficient power handling. This chip is commonly used in portable electronic devices, battery management systems, and other low-power applications.
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Equivalent
The equivalent products of SSM6J511NU,LF chip are SSM6J540NU,LF and SSM6J540NU,TQ. These chips are also N-channel enhancement mode power MOSFETs designed for use in DC-DC converters, load switches, and other power management applications. -
Features
- Ultra-low on-resistance (0.035 ohms) - Low gate charge (3.4 nC) - Low capacitance (Ciss = 95pF) - Low leakage current (< 100nA) - High-speed switching capability - AEC-Q101 qualified for automotive applications - ESD protection up to 2kV -
Pinout
The SSM6J511NU,LF is a dual N-channel MOSFET. It has 6 pins, with Pin 1 as the Gate of the first MOSFET, Pin 2 as the Source of the first MOSFET, Pin 3 as the Drain of the first MOSFET, Pin 4 as the Drain of the second MOSFET, Pin 5 as the Source of the second MOSFET, and Pin 6 as the Gate of the second MOSFET. -
Manufacturer
The manufacturer of the SSM6J511NU,LF is Toshiba Semiconductors. Toshiba Semiconductors is a Japanese multinational company that specializes in the design, development, and manufacturing of semiconductor devices, including microcontrollers, memory chips, and power transistors. They are a leading player in the global semiconductor industry, known for their high-quality products and innovative technology solutions. -
Application Field
The SSM6J511NU,LF is commonly used in power management applications, such as battery charging circuits, power distribution systems, and DC-DC converters. Its low on-resistance, low gate charge, and small package size make it ideal for portable devices, smartphones, tablets, and other small electronic devices where space and power efficiency are crucial. -
Package
The SSM6J511NU,LF chip is a surface-mount package type with a form factor of SOT-666 (SC-88A) and a size of 1.6mm x 1.6mm.
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