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$5000STP3NK100Z
TO-220AB package
Marken: Stmicroelectronics
Herstellerteil #: STP3NK100Z
Datenblatt: STP3NK100Z Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STP3NK100Z Allgemeine Beschreibung
The STP3NK100Z N-channel Power MOSFET is a high voltage device designed to meet the needs of power electronics applications. With a drain-source voltage of 100 volts and a continuous drain current of 2.5 amperes, this MOSFET is suitable for a wide range of demanding tasks. Its low on-resistance of 1 ohm and low gate threshold voltage of 2.5 volts make it an efficient and easy-to-control component in circuit designs. The TO-220 package ensures good thermal performance and facilitates easy mounting and installation, while its operating temperature range of -55°C to 150°C allows for reliable operation in various environments
Funktionen
- High-speed switching capabilities
- Robust thermal management
- Silicon-controlled rectification
- Pulse-width modulation support
- Advanced gate control features
- Low-voltage operation guarantee
Anwendung
- Enhanced audio performance
- Driving LEDs effectively
- Converting solar energy
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1 kV |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | STP3NK100Z |
| Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
| Fall Time | 32 ns | Height | 9.15 mm |
| Length | 10.4 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 7.5 ns | Factory Pack Quantity | 50 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 39 ns | Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Width | 4.6 mm |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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STP3NK100Z is a semiconductor chip commonly used in electronic devices. It is a N-channel power MOSFET designed for high-frequency operation. The chip exhibits low on-resistance and allows efficient switching in power applications. It is widely utilized in power supplies, motor control, and general-purpose switching circuits.
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Equivalent
Some equivalent products to the STP3NK100Z chip include the STP3NA100, STP3NK90Z, and STP3NK80Z. These chips are all N-channel Power MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
The STP3NK100Z is a high voltage N-channel Power MOSFET designed for low power applications. Key features include a very low on-resistance, high current capability, and low gate charge. It is ideal for use in power management, switching power supplies, motor control, and many other low voltage applications. -
Pinout
The STP3NK100Z is a MOSFET transistor with a TO-220 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the conductivity of the transistor, while the drain and source pins are used for the flow of current. -
Manufacturer
The manufacturer of the STP3NK100Z is STMicroelectronics. It is a multinational electronics and semiconductor company. -
Application Field
The STP3NK100Z is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as power supplies, lighting systems, motor control, and automotive electronics. It is designed to handle high currents and voltages, making it suitable for high-power applications. -
Package
The STP3NK100Z chip is packaged in a TO-220 form. The package size for the TO-220 form of the chip is approximately 10.4 mm x 15.3 mm.
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