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TIP100G
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
Marken: onsemi
Herstellerteil #: TIP100G
Datenblatt: TIP100G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.904 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,446 | $0,446 |
| 200 | $0,173 | $34,600 |
| 500 | $0,166 | $83,000 |
| 1000 | $0,163 | $163,000 |
Auf Lager: 8.904 Stck
TIP100G Allgemeine Beschreibung
The TIP100G is a high-performance NPN transistor with a collector-emitter voltage rating of 60V and a maximum collector current of 8A. It is housed in a TO-220 package and has a power dissipation rating of 80W. The DC current gain (hFE) is 200hFE, making it suitable for a wide range of amplification and switching applications
Funktionen
- Fully Isolated and Shielded for Electromagnetic Interference Suppression
- Dual-Gate Design for Improved Noise Rejection
- Ultra-High Frequency Response for Fast Signal Processing
- Silicon-Based Construction for High-Reliability Operation
- Fully Shielded and Encapsulated for Environmental Protection
- Low Noise Floor and Low Distortion Performance
- Industrial
- Power Management
Anwendung
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Darlington | Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 80mA, 8A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V |
| Power - Max | 2 W | Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
Versand
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|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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