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$5000TOSHIBA TPH2R608NH,L1Q
This MOSFET can handle up to 50A and 142W with a voltage drop of 4V at 1mA
Marken: Toshiba
Herstellerteil #: TPH2R608NH,L1Q
Datenblatt: TPH2R608NH,L1Q Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOP-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.751 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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TPH2R608NH,L1Q Allgemeine Beschreibung
The TPH2R608NH,L1Q MOSFET from Vishay Siliconix is rigorously tested and guaranteed to meet international standards for quality and performance, providing reassurance of its reliability and durability. Its application in a wide range of electronic systems makes it a valuable component for engineers and designers looking for a high-performance and versatile MOSFET solution
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Toshiba | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOP-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V | Id - Continuous Drain Current | 168 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.6 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 72 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 142 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | U-MOSVIII-H | Series | TPH2R608NH |
| Brand | Toshiba | Configuration | Single |
| Fall Time | 15 ns | Height | 0.95 mm |
| Length | 5 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 11 ns | Factory Pack Quantity | 5000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns | Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
| Width | 5 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The TPH2R608NH,L1Q chip is a high-frequency semiconductor device used in power amplifiers for cellular base stations. It operates in the 3400-3600 MHz frequency range and is designed for use in 5G wireless communication networks. This chip offers high power efficiency and reliability, making it ideal for advanced telecommunications infrastructure.
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Equivalent
The equivalent products of TPH2R608NH,L1Q chip are TPH2R608NH,L1E and TPH2R608NH,M1Q chips. They have similar functionality and compatibility with the same applications as the original chip. -
Features
1. TPH2R608NH,L1Q is a high efficiency, low VCE(sat) NPN transistor. 2. It has a maximum collector current of 6A. 3. The device is RoHS compliant. 4. It is suitable for high frequency applications. 5. It has a low leakage current. 6. This transistor is designed for use in power switching circuits. -
Pinout
The TPH2R608NH,L1Q is a dual N-channel MOSFET with an 8-pin DFN package. Pin functions are typically G (1, 5), D (2, 4, 7), and S (3, 6, 8). Important characteristics include low RDS(ON), high breakdown voltage, and fast switching speed. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of TPH2R608NH,L1Q. It is a German semiconductor manufacturing company that produces a wide range of products including power semiconductors, sensors, and microcontrollers. Infineon Technologies AG serves various industries such as automotive, industrial automation, and consumer electronics. -
Application Field
TPH2R608NH,L1Q is commonly used in automotive systems, industrial automation, and power management applications. It can be integrated into various electronic devices such as electric vehicles, robotics, and battery management systems to regulate and monitor power flow efficiently. -
Package
The TPH2R608NH,L1Q chip is in a surface-mount package with a dual N-channel MOSFET configuration. The form factor is in a flat leadless package (DFN) measuring 6mm x 5mm with a height of 0.8mm.
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