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$5000UF3C120150B7S
1200 V SiC FET with a 150 mohm resistance
Marken: Qorvo
Herstellerteil #: UF3C120150B7S
Datenblatt: UF3C120150B7S Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263-8,D2PAK(7Leads+Tab),TO-263CA
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.969 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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UF3C120150B7S Allgemeine Beschreibung
The UF3C120150B7S power field effect transistor (FET) from UnitedSiC represents a leap forward in power semiconductor technology. With a breakdown voltage of 1200V and a continuous drain current rating of 150A, this FET is engineered for high efficiency and reliability. Its low on-resistance (RDS(on)) of 75 mOhms plays a key role in minimizing power losses and optimizing efficiency. Moreover, its fast switching speed makes it suitable for high frequency operations, making it a versatile choice for a wide array of applications. The FET is housed in a TO-247-4L package, which ensures excellent thermal performance and reliability, enabling it to operate at elevated temperatures without compromising performance. Additionally, the FET is RoHS compliant, demonstrating UnitedSiC's commitment to environmental responsibility. The UF3C120150B7S power FET exemplifies the company's dedication to pushing the boundaries of power semiconductor technology while prioritizing environmental sustainability
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.7 nC @ 12 V | Vgs (Max) | ±25V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 738 pF @ 100 V | Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK-7 |
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