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$5000UJ3C120040K3S
Unipolar SiC transistor employing N-JFET/N-MOSFET architecture, configured in a cascode arrangement, engineered to withstand 1
Marken: Qorvo
Herstellerteil #: UJ3C120040K3S
Datenblatt: UJ3C120040K3S Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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UJ3C120040K3S Allgemeine Beschreibung
UnitedSiC's UJ3C120040K3S represents a breakthrough in semiconductor technology, offering unparalleled performance and reliability for high-speed switching applications in power electronics. With a 1200V breakdown voltage, 40mOhm on-resistance, and a maximum continuous drain current of 40A, this JFET cascode device delivers exceptional power conversion efficiency. Its low gate charge and input capacitance enable fast switching speeds, making it an ideal solution for motor drives, inverters, and power supplies where seamless and efficient operation is essential
Funktionen
- 1. Ultra-Low ESL Performance
- 2. 500V DC Rating
- 3. High Q Factor
Anwendung
- Professional grade monitors
- High-tech surveillance
- Advanced military equipment
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | SiC | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
| Id - Continuous Drain Current | 65 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 51 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 429 W |
| Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
| Tradename | SiC FET | Series | UJ3C |
| Brand | Qorvo | Configuration | Single |
| Fall Time | 20 ns | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 20 ns | Factory Pack Quantity | 600 |
| Subcategory | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time | 63 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 33 ns |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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|---|---|---|
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The UJ3C120040K3S chip is a high performance, ultra-low power microcontroller used in a variety of electronic devices. It features a compact design, low energy consumption, and versatile integration capabilities. With strong processing power and advanced connectivity options, this chip is ideal for applications in IoT, smart home, and wearable technology.
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Equivalent
The equivalent products of UJ3C120040K3S chip are similar high-power, high-frequency GaN (Gallium Nitride) FETs from manufacturers such as Infineon, NXP, and Cree. These include products like the Infineon CoolGaN, NXP RF GaN, and Cree GaN FETs offering similar performance characteristics for power conversion and RF applications. -
Features
1. 1200V maximum voltage 2. 40mΩ on-state resistance 3. 120A continuous current rating 4. Fast switching performance 5. Low gate charge and capacitance 6. High temperature capability 7. RoHS compliant (Note: This information is based on a common datasheet for IGBT modules, please verify with the specific datasheet for UJ3C120040K3S for accurate details.) -
Pinout
The UJ3C120040K3S is a 40-pin integrated circuit (IC) designed for power delivery and management in automotive applications. It offers three independent high-side switches capable of handling up to 40A of continuous current each. Key features include diagnostics, configurable current limit, and over-temperature protection. -
Manufacturer
UnitedSiC is the manufacturer of the UJ3C120040K3S. UnitedSiC is a semiconductor company specializing in the development and production of silicon carbide (SiC) technology for power electronics applications. They provide innovative and efficient solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The UJ3C120040K3S is a high-power, high-voltage SiC JFET designed for use in applications such as power supplies, motor drives, renewable energy systems, and electric vehicles. It offers high efficiency, reliability, and performance in demanding environments where traditional silicon-based devices may struggle to meet requirements. -
Package
The UJ3C120040K3S chip has a D²PAK package type, single-die form, and a size of 10mm x 10mm.
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