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$50002SC5566-TD-E
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
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Marken: onsemi
Herstellerteil #: 2SC5566-TD-E
Datenblatt: 2SC5566-TD-E Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-243AA
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.111 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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2SC5566-TD-E Allgemeine Beschreibung
The 2SC5566-TD-E is a high-performance NPN transistor with a collector-emitter voltage rating of 50V and a maximum collector current of 4A. It features a typical gain bandwidth of 400MHz, making it suitable for a wide range of applications requiring high frequency operation. The transistor has a power dissipation rating of 3.5W, ensuring reliable performance even under high load conditions. With a DC current gain (hFE) of 560, the 2SC5566-TD-E offers excellent amplification capabilities. The transistor is housed in a compact SOT-89 package with 3 pins for easy installation and connection
Funktionen
- Faster switching times
- Improved thermal resistance
- Enhanced voltage tolerance
- Reduced saturation current
- Precise parameter control
- Compact design simplifies PCB
Anwendung
- Audio amplifiers
- LED displays
- Battery chargers
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 225mV @ 100mA, 2A | Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V | Power - Max | 1.3 W |
Frequency - Transition | 400MHz | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | TO-243AA |
Supplier Device Package | PCP |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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