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TOSHIBA 2SK2313(F)

Low-voltage, high-current MOSFET suitable for automotive applicatio

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: toshiba

Herstellerteil #: 2SK2313(F)

Datenblatt: 2SK2313(F) Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-3PN-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.790 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-3PN-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V Id - Continuous Drain Current 60 A
Rds On - Drain-Source Resistance 11 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 150 W Channel Mode Enhancement
Series 2SK2313 Brand Toshiba
Configuration Single Fall Time 65 ns
Height 20 mm Length 15.5 mm
Product Type MOSFET Rise Time 30 ns
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Width 4.5 mm

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

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  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

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Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The 2SK2313(F) is a field-effect transistor (FET) chip designed for high-speed switching applications in power electronics. It features low on-resistance and a high switching speed, making it ideal for use in power supplies, motor control, and audio amplifiers. The chip is commonly used in industrial and automotive applications due to its reliability and efficiency.
  • Equivalent

    The equivalent products of 2SK2313(F) chip are IRF830, IRF540, IRF640, IRF740, IRF840, IRF840A, BUZ10, BUZ11, BUZ71, BUZ72, BUZ73, BUZ74, BUZ80, BUZ80A, BUZ100, BUZ171, BUZ173, BUZ22, BUZ23, RFP70N06, RFP25N06.
  • Features

    The features of 2SK2313(F) include a drain-source voltage of 500V, a continuous drain current of 3A, low on-resistance of 0.5 ohms, and a fast switching speed. It is designed for high voltage applications and offers high reliability and performance.
  • Pinout

    The 2SK2313(F) is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It is designed to control the flow of current between the drain and source pins by varying the voltage applied to the gate pin.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the 2SK2313(F) is Renesas Electronics Corporation. Renesas Electronics is a Japanese semiconductor company that provides advanced semiconductors and integrated circuits for a wide range of applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-quality products and innovative solutions in the semiconductor industry.
  • Application Field

    The 2SK2313(F) is a MOSFET transistor commonly used in audio amplifiers, voltage regulators, and power supply circuits due to its high voltage and current capability. It can also be found in industrial applications such as motor drives, inverters, and power management systems.
  • Package

    The 2SK2313(F) chip is available in a TO-3P package type. It is a N-channel MOSFET with a voltage rating of 60V, a current rating of 10A, and a power dissipation of 70W.

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