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$5000APT14M120B
Reliable and efficient switching device for industrial control system
Marken: Microchip Technology
Herstellerteil #: APT14M120B
Datenblatt: APT14M120B Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.194 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT14M120B Allgemeine Beschreibung
Say hello to superior power control with APT14M120B by Power MOS 7®. This power MOSFET redefines efficiency by targeting conduction and switching losses effectively. By slashing RDS(ON) and Qg, Power MOS 7® empowers your system with maximum performance. Pair that with lightning-quick switching speeds, and you have a game-changing solution for your power needs
Funktionen
- Advancing Power Electronics and IGBT Solutions
- Boosting Efficiency with MOSFET and IGBT Designs
- Efficient Switching for High Frequency Modules
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4765 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247 [B] |
| Package / Case | TO-247-3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The APT14M120B chip is a power module designed for high power switching applications in motor control, renewable energy, and other industrial applications. It combines a power MOSFET with a driver and protection circuitry in a single package, providing high efficiency and reliability.
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Equivalent
The equivalent products of APT14M120B chip are Infineon's 1200V CoolMOS™ PFD7 and PFD8 superjunction MOSFETs and STMicroelectronics 1200V SiC MOSFETs. These products offer similar performance and specifications to the APT14M120B chip, making them suitable replacements in various applications. -
Features
1. APT14M120B is a high-power RF transistor module. 2. It operates at a frequency range of 1.2GHz to 1.4GHz. 3. It has a maximum output power of 14 watts. 4. It is designed for high efficiency and reliability in demanding RF applications. 5. It is suitable for use in wireless communication systems and radar applications. -
Pinout
The APT14M120B has a pin count of 44 and is a high power RF LDMOS transistor. It is specifically designed for linear amplifiers, broadcast transmitters, and radar applications. It operates in the frequency range of 1350-1400 MHz with a maximum power output of 14 watts. -
Manufacturer
Microsemi Corporation is the manufacturer of the APT14M120B. They specialize in providing semiconductor and system solutions for aerospace, defense, communications, and industrial markets. Their products include high-performance power modules, RF components, and power management devices. -
Application Field
The APT14M120B is a high-voltage insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module commonly used in various industrial applications such as motor drives, renewable energy systems, and power supplies. Its high power handling capacity and efficient switching make it ideal for high-performance applications where reliability and energy efficiency are crucial. -
Package
The APT14M120B chip is a power module that comes in a surface-mount package. It has a module form factor and a size of 48 mm x 14 mm.
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