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$5000APT28M120B2
Rated for 1200 volts and 29 amps
Marken: Microchip Technology
Herstellerteil #: APT28M120B2
Datenblatt: APT28M120B2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3Variant
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.941 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT28M120B2 Allgemeine Beschreibung
The APT28M120B2 is a powerhouse in the world of RF transistors, offering unmatched performance and reliability for high-power applications. With a frequency range of 960-1215 MHz and the ability to deliver up to 120 watts of output power, this transistor is a go-to choice for demanding communication and radar systems. Its impressive gain of 15 dB and efficiency of 60% ensure that your RF amplification needs are met with precision and excellence
Funktionen
- Ratings: 20A, 30V
- Package: TO-220F
- Applications: Motor control, power supplies
- Manufacturer: Fairchild
- Type: Power transistor
Anwendung
- Advanced medical
- Sustainable energy
- Smart lighting
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | POWER MOS 8™ | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 14A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9670 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 1135W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] | Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Base Product Number | APT28M120 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The APT28M120B2 is a high-performance, low-power microcontroller chip designed for embedded applications. It features powerful processing capabilities, hardware security features, and a robust peripheral set, making it ideal for applications requiring secure and efficient data processing.
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Equivalent
The equivalent products of APT28M120B2 chip are APT30M120B2, APT31M120B2, and APT32M120B2. These chips are all part of the same APT Series and offer similar features and performance characteristics. -
Features
The APT28M120B2 is a power MOSFET module with features including a low on-resistance, high switching speed, low gate charge, and high ruggedness. It has a compact and high power density module design, making it suitable for a wide range of power electronic applications. -
Pinout
The APT28M120B2 is a 28-pin power MOSFET module. It is used for switching and amplifying high-power and high-voltage applications in industries such as automotive and industrial. Its pins are used for connecting to the gate, drain, and source terminals of the MOSFET, as well as for other communication and control functions. -
Manufacturer
The manufacturer of the APT28M120B2 is Advanced Power Technology (APT). APT is a semiconductor company that specializes in developing and manufacturing power MOSFETs, IGBTs, Schotkky diodes, and high-voltage rectifiers for a variety of applications including power supplies, motor drives, and automotive systems. -
Application Field
The APT28M120B2 is a high power RF transistor commonly used in applications such as industrial heating, plasma generators, and high power radar systems. It is well-suited for high frequency and high power applications due to its robust design and excellent power handling capabilities. -
Package
The APT28M120B2 chip is in a surface-mount package type called a DFN, with a form factor of 3x3mm. It is a dual N-channel Enhancement mode Power MOSFET.
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