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BC846BDW1T1G
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Marken: onsemi
Herstellerteil #: BC846BDW1T1G
Datenblatt: BC846BDW1T1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.117 Stück, Neues Original
Produktart: Bipolar Transistor Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 10 | $0,053 | $0,530 |
| 100 | $0,043 | $4,300 |
| 300 | $0,038 | $11,400 |
| 3000 | $0,032 | $96,000 |
| 6000 | $0,029 | $174,000 |
| 9000 | $0,027 | $243,000 |
Auf Lager: 5.117 Stck
BC846BDW1T1G Allgemeine Beschreibung
The BC846BDW1T1G offers tremendous value for electronic projects requiring NPN bipolar transistors. Its dual design provides flexibility in circuit design, ideal for applications where multiple amplification stages are needed. Housed in a space-saving SOT-363/SC-88/SC70-6 package, this transistor is perfect for compact devices or densely populated circuit boards. The transistor's general-purpose functionality makes it a versatile component for a wide range of amplifier applications, ensuring consistent performance and reliability in various electronic systems
Funktionen
- Lead-Free, Halogen-Free and BFR-Free Designs
- AEC-Q101 Qualified for High-Reliability Applications
- Pb-Free, RoHS Compliant with Enhanced Reliability Features
- NSV Prefix for Customized Solutions and Site Control
- Halogen-Free PCBs for EMI and RFI Reduction
- RoHS Compliance Ensuring Environmental Safety
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V | Power - Max | 380mW |
| Frequency - Transition | 100MHz | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Versand
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Teilpunkte
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The BC846BDW1T1G is a small signal NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose switching and amplification applications. It has a maximum collector current of 100mA and a maximum voltage rating of 65V. This transistor is commonly used in various electronic circuits for amplifying and switching signals.
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Equivalent
The equivalent products of BC846BDW1T1G chip are BC846B, BC846BDW1T1, BC846S, BC846BS, BC846BW, BC846B-7-F, and BC846BDW1T1GOSCT-ND. -
Features
BC846BDW1T1G is a general-purpose NPN bipolar junction transistor with a maximum collector current of 100mA and a maximum collector-emitter voltage of 65V. It has a total power dissipation of 300mW and a hFE range of 110 to 800. It is suitable for switching and amplification applications. -
Pinout
BC846BDW1T1G is a dual NPN transistor with a SOT-363 package. It has three pins: collector (C), emitter (E), and base (B). Pin count is 3. It is used for general purpose switching and amplification in electronic circuits. -
Manufacturer
BC846BDW1T1G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier company providing energy efficient solutions. They offer a comprehensive portfolio of power and signal management, logic, discrete, and custom devices for automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, military, and aerospace applications. -
Application Field
BC846BDW1T1G is commonly used in a wide range of applications such as switching and amplification in audio amplifiers, voltage regulators, and signal processing circuits. It is also suitable for use in high-speed switching and general-purpose amplification applications. -
Package
The BC846BDW1T1G is a SOT-363 package with a dual PNP bipolar transistor. It has a form factor of 2.0mm x 2.1mm and a height of 0.95mm.
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