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BLF188XRU

BLF188XRU: N-channel RF FET transistor with a voltage tolerance of 135V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Ampleon

Herstellerteil #: BLF188XRU

Datenblatt: BLF188XRU Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-539A

Produktart: RF FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8.406 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BLF188XRU Allgemeine Beschreibung

The BLF188XRU transistor emerges as a powerhouse in the realm of UHF broadcast applications, setting a new standard for power, efficiency, and reliability. Capable of delivering an impressive 1400 watts of CW power, this LDMOS transistor operates effectively within a voltage range of 28-32V. With a gain of 16dB at 860MHz, it ensures superior performance in broadcast environments, striking a balance between power and precision. Its durable design and high thermal stability make it a top choice for demanding applications, ensuring consistent performance under challenging conditions. Additionally, the inclusion of input and output matching networks simplifies system design and enhances overall efficiency, underscoring the transistor's adaptability and ease of use. Offering a maximum operating frequency of 1100MHz, the BLF188XRU caters to a broad range of broadcast applications, from television to radio transmitters, with unmatched versatility. Housed in a compact air-cavity ceramic package, it excels in both thermal management and RF performance, making it a premier option for broadcast professionals

Funktionen

  • Suitable for FM and AM broadcast transmitters
  • Ideal for industrial, medical and scientific applications
  • Compact and rugged design with low power consumption
  • Highly reliable and efficient amplifier solution

Anwendung

  • Astronomy research
  • Energy-efficient systems
  • Automated manufacturing

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
ECCN (US) EAR99 Part Status Active
HTS 8541.21.00.95 Configuration Dual Common Source
Channel Mode Enhancement Channel Type N
Number of Elements per Chip 2 Mode of Operation Pulsed RF
Process Technology LDMOS Maximum Drain Source Voltage (V) 135
Maximum Gate Source Voltage (V) 11 Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.25
Maximum VSWR 65 Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 280
Maximum IDSS (uA) 2.8 Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 80(Typ)@6V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 534@50V Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 5.5@50V
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) 212@50V Output Power (W) 1400
Typical Power Gain (dB) 24.4 Maximum Frequency (MHz) 600
Minimum Frequency (MHz) 10 Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 225 Packaging Bulk
Mounting Screw Package Height 4.7(Max)
Package Width 10.29(Max) Package Length 41.28(Max)
PCB changed 5 Supplier Package SOT-539A
Pin Count 5

Versand

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  • Vakuumverpackung

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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