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BU406TU
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7 A 10MHz 60 W Through Hole TO-220-3
Marken: onsemi
Herstellerteil #: BU406TU
Datenblatt: BU406TU Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,552 | $0,552 |
| 10 | $0,461 | $4,610 |
| 30 | $0,422 | $12,660 |
| 100 | $0,374 | $37,400 |
| 500 | $0,353 | $176,500 |
| 1000 | $0,339 | $339,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
BU406TU Allgemeine Beschreibung
One key feature of the BU406TU is its high current gain (hFE) range of 100-800 at a collector current of 100mA, allowing for efficient signal amplification. Additionally, its low base-emitter saturation voltage of 1V at a collector current of 1A minimizes power loss during operation, making it an energy-efficient choice for electronics projects
Funktionen
- High power applications require high voltage and current
- The BU406TU meets these requirements with its TO-3P package
- This transistor is designed for high power applications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Details | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | NPN |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 200 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 400 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V | Maximum DC Collector Current: | 7 A |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W | Gain Bandwidth Product fT: | 10 MHz |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | BU406 | Packaging: | Tube |
| Brand: | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current: | 7 A |
| Height: | 9.4 mm | Length: | 10.1 mm |
| Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Subcategory: | Transistors | Technology: | Si |
| Width: | 4.7 mm | Part # Aliases: | BU406TU_NL |
| Unit Weight: | 0.063493 oz |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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BU406TU is a chip developed by NXP Semiconductors, designed for use in power transistors. It is a silicon epitaxial-base NPN power transistor that can handle high power and voltage levels. The chip offers low collector-emitter saturation voltage and high current gain, making it suitable for a wide range of applications such as switching power supplies, audio amplifiers, and motor control circuits.
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Features
The features of BU406TU include a 14-inch HD display, Intel Core i3 processor, 4GB RAM, and 1TB HDD storage. It also has a built-in webcam, multiple connectivity options, and a long-lasting battery. The laptop comes with Windows 10 operating system and weighs around 1.6kg, making it portable and suitable for everyday use. -
Pinout
The BU406TU is a power transistor with a pin count of 3. The function of each pin is as follows: Pin 1 is the base (B) pin, Pin 2 is the collector (C) pin, and Pin 3 is the emitter (E) pin. -
Application Field
The BU406TU is a high voltage NPN power transistor commonly used in various applications, including audio amplifiers, power switch circuits, and motor control systems. Additionally, it can be utilized in power supply circuits, voltage regulators, and other general-purpose power applications that require a high voltage and current capacity. -
Package
The BU406TU chip is available in a TO-220AB package type, which is a widely used through-hole package for power devices. It comes in a transistor form and has a size of approximately 10.54mm x 9.53mm.
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