Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000
C3M0280090J
900V G3 SiC MOSFET with a resistance of 280 mOhm
Marken: Wolfspeed
Herstellerteil #: C3M0280090J
Datenblatt: C3M0280090J Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-263-7
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.351 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $5,757 | $5,757 |
| 10 | $5,098 | $50,980 |
| 50 | $4,696 | $234,800 |
| 100 | $4,359 | $435,900 |
Auf Lager: 9.351 Stck
C3M0280090J Allgemeine Beschreibung
What sets this MOSFET apart is Wolfspeed's ingenious integration of advanced SiC technology, boasting superior attributes such as heightened breakdown voltage, diminished switching losses, and augmented thermal conductivity compared to conventional silicon counterparts. Such prowess translates into tangible benefits: heightened performance, bolstered reliability, and elevated overall system efficiency
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Wolfspeed | Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details | REACH | Details |
| Technology | SiC | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-7 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 385 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 18 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.8 V |
| Qg - Gate Charge | 9.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 50 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | Wolfspeed |
| Configuration | Single | Fall Time | 4 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.1 S | Moisture Sensitive | Yes |
| Product | Power MOSFETs | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 6.5 ns | Factory Pack Quantity | 50 |
| Subcategory | MOSFETs | Type | Silicon Carbide MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns | Typical Turn-On Delay Time | 10.5 ns |
| Unit Weight | 0.056438 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The C3M0280090J chip is a silicon carbide power MOSFET designed for high-power applications. It features low on-resistance, high switching speed, and excellent thermal performance, making it ideal for power electronics and motor control systems. With a voltage rating of 900V and a continuous current rating of 36A, the C3M0280090J chip is suitable for a wide range of high-power applications.
-
Equivalent
The equivalent products of the C3M0280090J chip are C3M0280090D, C3M0280090J-HA, and C3M0280090D-HA. These chips are all part of the same series of silicon carbide power MOSFETs and have similar specifications and features. -
Features
Features of C3M0280090J: 1. Silicon Carbide Power MOSFET 2. 900V breakdown voltage 3. 28mOhm on-resistance 4. High power density 5. High thermal conductivity 6. High switching speed 7. Enhanced reliability and ruggedness for demanding applications 8. Suitable for power supplies, motor drives, and electric vehicles. -
Pinout
The C3M0280090J is an 8-pin IC with a function of a single full-bridge driver for DC motor applications. It is designed to drive capacitive loads such as MOSFETs or IGBTs in motor control applications. The IC provides high-current output capability and protection features for safe motor operation. -
Manufacturer
The manufacturer of the C3M0280090J is Wolfspeed, a company that specializes in the design and production of power and radio frequency semiconductors. Wolfspeed is a subsidiary of Cree Inc., a leading provider of semiconductor products for power and radio frequency applications. -
Application Field
The C3M0280090J is a silicon carbide power MOSFET transistor designed for high power applications in industries such as automotive, industrial, and renewable energy. It is commonly used in electric vehicle powertrains, solar inverters, and industrial motor drives for its high efficiency, power density, and reliability. -
Package
The package type of the C3M0280090J chip is TO-247-4, the form is Discrete Semiconductor Module, and the size is 1.12" x 0.594" x 0.192" (28.5mm x 15.1mm x 4.9mm).
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
