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Infineon CY7C15632KV18-400BZXI
High-speed SRAM chip organized as 4Mx18
Marken: Infineon
Herstellerteil #: CY7C15632KV18-400BZXI
Datenblatt: CY7C15632KV18-400BZXI Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: FBGA-165
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Speicher
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $169,159 | $169,159 |
| 200 | $65,463 | $13092,600 |
| 500 | $63,162 | $31581,000 |
| 1000 | $62,026 | $62026,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
CY7C15632KV18-400BZXI Allgemeine Beschreibung
The CY7C15632KV18-400BZXI from Cypress Semiconductor is engineered to meet the demands of high-performance computing applications. With a capacity of 512 megabytes and a speed of 400 MHz, this double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM) module delivers fast and reliable memory access. Its 184-pin edge connector ensures easy installation in compatible devices, making it a convenient choice for tech enthusiasts and professionals looking to upgrade their systems
Funktionen
- Separate independent read and write data ports ❐ Supports concurrent transactions
- 450 MHz clock for high bandwidth
- Two-word burst for reducing address bus frequency
- Double Data Rate (DDR) interfaces on both read and write ports (data transferred at 900 MHz) at 450 MHz
- Available in 2.5 clock cycle latency
- Two input clocks (K and K) for precise DDR timing ❐ SRAM uses rising edges only
- Echo clocks (CQ and CQ) simplify data capture in high speed systems
- Data valid pin (QVLD) to indicate valid data on the output
- Single multiplexed address input bus latches address inputs for both read and write ports
- Separate port selects for depth expansion
- Synchronous internally self-timed writes
- QDR™-II+ Xtreme operates with 2.5 cycle read latency when DOFF is asserted HIGH
- Operates similar to QDR-I device with 1 cycle read latency when DOFF is asserted LOW
- Available in × 18, and × 36 configurations
- Full data coherency, providing most current data
- Core VDD = 1.8 V± 0.1 V; I/Os VDDQ = 1.4 V to 1.6 V ❐ Supports 1.5 V I/O supply
- HSTL inputs and variable drive HSTL output buffers
- Available in 165-ball FBGA package (13 × 15 × 1.4 mm)
- Offered in both Pb-free and non Pb-free packages
- JTAG 1149.1 compatible test access port
- Phase-Locked Loop (PLL) for accurate data placement
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | SRAM |
| RoHS: | Details | Memory Size: | 72 Mbit |
| Organization: | 4 M x 18 | Access Time: | 450 ps |
| Maximum Clock Frequency: | 400 MHz | Interface Type: | Parallel |
| Supply Voltage - Max: | 1.9 V | Supply Voltage - Min: | 1.7 V |
| Supply Current - Max: | 710 mA | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 85 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | FBGA-165 | Packaging: | Tray |
| Brand: | Infineon Technologies | Data Rate: | QDR-II |
| Memory Type: | QDR | Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Ports: | 2 | Product Type: | SRAM |
| Series: | CY7C15632KV18 | Factory Pack Quantity: | 136 |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
Versand
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The CY7C15632KV18-400BZXI is a high-performance, low-power synchronous SRAM chip manufactured by Cypress Semiconductor. It operates at a speed of 400 MHz and has a capacity of 18 Mb. This chip is commonly used in networking, telecommunications, and industrial applications where fast and reliable memory access is required.
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Equivalent
Some equivalent products of CY7C15632KV18-400BZXI chip are S29GL01GS12TFI010, MT41J512M4, and IS42S16320D. -
Features
CY7C15632KV18-400BZXI is a high-performance double data rate synchronous SRAM with a density of 36Mb. It operates at a speed of 400 MHz and requires a supply voltage of 1.8V. It has a burst length of 4 or 8 and offers low latency for fast data access. -
Pinout
CY7C15632KV18-400BZXI is a 324-pin BGA package DRAM with 72 bits, 18Mb, and a 400MHz clock speed. It is designed for high-performance networking, telecommunications, and data center applications. The device features a burst and pipeline architecture for increased data throughput. -
Manufacturer
CY7C15632KV18-400BZXI is manufactured by Cypress Semiconductor Corporation, an American company that designs, manufactures, and sells a wide range of integrated circuits and semiconductor devices for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. Cypress Semiconductor specializes in producing high-performance memory solutions, microcontrollers, and connectivity solutions. -
Application Field
The CY7C15632KV18-400BZXI is commonly used in high-performance computing, networking, telecommunications, and industrial applications. It is suitable for data storage, high-speed communication, and processing large amounts of data in real-time. The device can also be used in aerospace and defense systems that require reliable, high-speed memory solutions. -
Package
The CY7C15632KV18-400BZXI chip is a BGA (Ball Grid Array) package with a size of 15mm x 15mm and has 400 pins.
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