Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

DMMT5401-7-F

Trans GP BJT PNP 150V 0.2A 300mW Automotive 6-Pin SOT-26 T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: DIODES INC

Herstellerteil #: DMMT5401-7-F

Datenblatt: DMMT5401-7-F Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-26-6

Produktart: Bipolar Transistor Arrays

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8.837 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für DMMT5401-7-F oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

DMMT5401-7-F Allgemeine Beschreibung

Designed for small signal applications, the DMMT5401-7-F is a matched PNP/PNP transistor with a collector-emitter voltage of -150V and a power dissipation rating of 300mW. This transistor features a DC current gain (hFE) of 60 and a collector current of -200mA, making it suitable for a wide range of circuit designs. Housed in a convenient SOT-26 package, the transistor has a low collector-emitter saturation voltage of -500mV and a high gain bandwidth of 300MHz, making it ideal for high-frequency applications. With an operating temperature range of -55°C to +150°C, the DMMT5401-7-F transistor provides reliable performance in demanding environments

Funktionen

  • Epitaxial Planar Die Construction
  • Complementary NPN Type Available (DMMT5551)
  • Ideal for Low Power Amplification and Switching
  • Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1)
  • 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)
  • Lead Free/RoHS Compliant (Note 4)
  • "Green" Device, Note 5 and 6

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer DIODES INC
Package Description GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 Pin Count 6
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 42 Weeks Samacsys Manufacturer Diodes Inc.
Collector Current-Max (IC) 0.2 A Collector-Emitter Voltage-Max 150 V
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS DC Current Gain-Min (hFE) 50
JESD-30 Code R-PDSO-G6 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The DMMT5401-7-F is a dual NPN/PNP switching transistor chip designed for use in various electronic applications. It is commonly used in amplifiers, drivers, and switches due to its high voltage and current capabilities. With its compact size and compatibility with surface mount technology, the DMMT5401-7-F is a versatile and reliable component for a wide range of circuit designs.
  • Equivalent

    The equivalent products of the DMMT5401-7-F chip are the BC847CLT1G, BC847BLT1G, and BC857BLT1G transistors from ON Semiconductor. These devices are also dual NPN and PNP transistors with similar specifications and characteristics to the DMMT5401-7-F chip.
  • Features

    The DMMT5401-7-F is a dual general-purpose surface mount transistor with NPN and PNP configurations. It has a total power dissipation of 225mW, a continuous collector current of 100mA, and a voltage rating of 30V. The device is RoHS compliant and suitable for use in a wide range of applications requiring low power switching and amplification.
  • Pinout

    The DMMT5401-7-F is a dual SOT-363 package transistor with three pins. Pin 1 is the emitter of transistor 1, pin 2 is the base of both transistors, and pin 3 is the emitter of transistor 2. This transistor is commonly used for switching and amplification applications in electronic circuits.
  • Manufacturer

    Diodes Incorporated is the manufacturer of DMMT5401-7-F. It is a global semiconductor company that designs and manufactures high-quality discrete and analog semiconductor products for a wide range of applications in the consumer electronics, automotive, industrial, and communications markets.
  • Application Field

    The DMMT5401-7-F is commonly used in applications such as audio amplifiers, signal processing circuits, and voltage regulation systems. It can also be used in radio frequency (RF) detectors, mixer circuits, and low-power amplifiers. Additionally, it is suitable for general purpose switching applications in various electronic devices.
  • Package

    The DMMT5401-7-F chip is a dual NPN/PNP small signal surface mount transistor in a SOT-363 package. It comes in a form of a chip and has a size of 1.30mm x 1.45mm x 0.95mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...