Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

DMN5L06K-7 48HRS

DMN5L06K-7 by Diodes Inc, an N-Channel MOSFET rated for 50V and 0.3A

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Diodes Incorporated

Herstellerteil #: DMN5L06K-7

Datenblatt: DMN5L06K-7 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 8666 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
10 $0,039 $0,390
100 $0,034 $3,400
300 $0,032 $9,600
3000 $0,030 $90,000
6000 $0,028 $168,000
9000 $0,028 $252,000

In Stock:8666 PCS

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für DMN5L06K-7 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

DMN5L06K-7 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N CH, 50V, 0.3A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 300mA; Drain Source Voltage Vds: 50V; On Resistance Rds(on): 2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: ; Available until stocks are exhausted

DMN5L06K-7

Funktionen

Continuous drain current of 300mA (Ta) at 25C

Maximum power of 350mW

Gate-source voltage of 20V

Designed for surface mount applications

1 N-Channel MOSFET

Metal Oxide

Unit weight of 0.000282 oz

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 50 V
Id - Continuous Drain Current 300 mA Rds On - Drain-Source Resistance 2 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 350 mW Channel Mode Enhancement
Series DMN5L06 Brand Diodes Incorporated
Configuration Single Forward Transconductance - Min 200 mS
Height 1 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 1.3 mm
Unit Weight 0.000282 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The DMN5L06K-7 is a high-side driver chip designed for automotive applications. It features a maximum current output of 5A, a wide input voltage range, and overcurrent protection. This chip is ideal for driving resistive, inductive, or capacitive loads in automotive systems such as lighting, motors, and solenoids.
  • Equivalent

    The equivalent products of the DMN5L06K-7 chip are DN5L06K-7, DN5L06, and DMN5L06. These are all N-channel MOSFETs with a drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 5A. They are commonly used in power management applications.
  • Features

    DMN5L06K-7 is a Mosfet transistor with a drain current of 5.6A, a low on-state resistance of 0.13 ohms, and a threshold voltage of 2.0V. It is suitable for high-speed switching applications in power management circuits, DC-DC converters, and motor control systems. It is available in a TO-252 package.
  • Pinout

    The pin count of DMN5L06K-7 is 8 pins. It is a N-channel enhancement mode MOSFET with a drain current of 2.1 A, and a maximum voltage of 60 V. The device is designed for use in DC-DC converters, load switches, and power management applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of DMN5L06K-7 is Diodes Incorporated. They are a leading global manufacturer and supplier of semiconductor products for a wide range of applications in the consumer electronics, automotive, telecommunications, and industrial markets. They focus on providing high-quality, innovative solutions to meet the needs of their customers in a variety of industries.
  • Application Field

    DMN5L06K-7 is commonly used in automotive applications such as motor control, switching circuits, and power management due to its high voltage capability (60V) and low on-resistance (0.16Ω). It is also suitable for use in industrial and consumer electronics products where efficient power management is required.
  • Package

    The DMN5L06K-7 chip is a Power MOSFET in TO-252 (DPAK) package, with a form of Surface Mount, and a size of 6.6mm x 9.0mm x 2.30mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • 2SK2225-E

    2SK2225-E

    Renesas

    MOSFET Power Transistor 2SK2225-E: Lead-Free, TO-3...

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • SCT30N120

    SCT30N120

    Stmicroelectronics

    N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole H

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...