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$5000DMN5L06VK-7
Product description: MOSFET N-channel 50V SOT563 AEC-Q101
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: DMN5L06VK-7
Datenblatt: DMN5L06VK-7 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-563-6
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.576 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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DMN5L06VK-7 Allgemeine Beschreibung
The DMN5L06VK-7 is a small signal field-effect transistor with a maximum drain current of 0.28A and a voltage rating of 50V. It is a 2-element, N-channel device made of silicon and metal-oxide semiconductor technology. The transistor comes in a green, ultra-small plastic package with 6 pins
Funktionen
HIGH RELIABILITYAnwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-563-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 50 V |
| Id - Continuous Drain Current | 280 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 2 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 490 mV |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW | Channel Mode | Enhancement |
| Series | DMN5L06 | Brand | Diodes Incorporated |
| Configuration | Dual | Forward Transconductance - Min | 200 mS |
| Height | 0.6 mm | Length | 1.6 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Width | 1.2 mm |
| Unit Weight | 0.000212 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The DMN5L06VK-7 is a power MOSFET chip designed for use in high efficiency applications such as DC-DC converters and synchronous rectification in power supplies. It features a low on-resistance and is capable of handling high current loads while minimizing power loss. Its compact size and high performance make it ideal for use in a variety of power management applications.
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Equivalent
The equivalent products of DMN5L06VK-7 chip are Infineon IPP20N06S4L-07, Diodes Inc. DMN6L06VK-7, and ON Semiconductor HUF76113P3. These MOSFET transistors have similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the DMN5L06VK-7 chip. -
Features
- Power MOSFET with a drain-source voltage rating of 60V - Low on-state resistance of 0.0056 ohms - Can handle a continuous drain current of 55A - Suitable for use in power management applications - Integrated with a high-speed switching performance for efficient operation -
Manufacturer
The manufacturer of DMN5L06VK-7 is Diodes Incorporated. It is a leading global supplier of high-quality discrete and analog semiconductor products for the automotive, computing, consumer, industrial, and communication markets. Diodes Incorporated specializes in the design, manufacture, and supply of a broad range of products including diodes, rectifiers, transistors, MOSFETs, voltage regulators, and more. -
Application Field
DMN5L06VK-7 is commonly used in voltage regulator modules, DC-DC converters, motor control circuits, and power management applications. It is designed for high-speed switching and can be used in a variety of industrial and automotive applications where efficient power handling and high reliability are required. -
Package
The DMN5L06VK-7 chip is in a 5-Lead SC-74 package. It is in a non-isolated form with a size of 2.2mm x 2.3mm x 1mm.
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