Microchip DN3135K1-G
The DN3135K1-G MOSFET is a high-voltage, low-current device suitable for switching circuits in power supplies and other electronic systems
Marken: Microchip
Herstellerteil #: DN3135K1-G
Datenblatt: DN3135K1-G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3019 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,391 | $0,391 |
10 | $0,318 | $3,180 |
30 | $0,286 | $8,580 |
100 | $0,248 | $24,800 |
500 | $0,231 | $115,500 |
1000 | $0,220 | $220,000 |
In Stock:3019 PCS
DN3135K1-G Allgemeine Beschreibung
MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 72mA; Drain Source Voltage Vds: 350V; On Resistance Rds(on): 35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 360mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Funktionen
- High input impedance
- Low input capacitance
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 350 V |
Id - Continuous Drain Current | 72 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 35 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 360 mW | Channel Mode | Depletion |
Brand | Microchip Technology | Configuration | Single |
Fall Time | 20 ns | Forward Transconductance - Min | 140 mS |
Height | 0.95 mm | Length | 2.9 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 15 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | FET | Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns | Width | 1.3 mm |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The DN3135K1-G chip is a semiconductor component designed for power management applications. It integrates various circuitry and functions to regulate and control voltage levels within electronic devices efficiently. The chip operates at high frequency and provides protection features for enhanced reliability. With its compact and versatile design, the DN3135K1-G chip is widely used in a range of electronic devices for efficient power management.
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Features
DN3135K1-G is a thyristor module that features a high voltage capability of up to 1600V, high blocking voltage, high surge capabilities, and low power losses. It is designed to provide efficient power conversion and control in various applications, including motor control, industrial drives, and power supplies. -
Pinout
The DN3135K1-G is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions of these pins are to control the flow of current between the Drain and Source terminals by applying voltage to the Gate terminal. -
Manufacturer
The manufacturer of the DN3135K1-G is a company called Texas Instruments. It is a leading semiconductor and electronics component manufacturer, specializing in various products including integrated circuits, microcontrollers, processors, and other digital and analog devices. -
Application Field
The DN3135K1-G is a high voltage, high-side power switch specifically designed for automotive applications. It is commonly used in automotive safety applications such as airbag control modules, seatbelt pre-tensioners, and crash sensors. Its compact size, robust design, and high voltage capability make it suitable for various automotive safety systems. -
Package
The DN3135K1-G chip is packaged in a SOT-23 package type. It is in a small form factor with dimensions of approximately 3.0mm x 1.3mm x 1.1mm.
Datenblatt PDF
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