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Microchip DN3135K1-G 48HRS

The DN3135K1-G MOSFET is a high-voltage, low-current device suitable for switching circuits in power supplies and other electronic systems

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Microchip

Herstellerteil #: DN3135K1-G

Datenblatt: DN3135K1-G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3019 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,391 $0,391
10 $0,318 $3,180
30 $0,286 $8,580
100 $0,248 $24,800
500 $0,231 $115,500
1000 $0,220 $220,000

In Stock:3019 PCS

- +

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DN3135K1-G Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 72mA; Drain Source Voltage Vds: 350V; On Resistance Rds(on): 35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 360mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

dn3135k1-g

Funktionen

    • High input impedance
    • Low input capacitance
    • Fast switching speeds
    • Low on-resistance
    • Free from secondary breakdown
    • Low input and output leakage
dn3135k1-g
dn3135k1-g

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 350 V
Id - Continuous Drain Current 72 mA Rds On - Drain-Source Resistance 35 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 360 mW Channel Mode Depletion
Brand Microchip Technology Configuration Single
Fall Time 20 ns Forward Transconductance - Min 140 mS
Height 0.95 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Rise Time 15 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type FET Typical Turn-Off Delay Time 15 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns Width 1.3 mm
Unit Weight 0.000282 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

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Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The DN3135K1-G chip is a semiconductor component designed for power management applications. It integrates various circuitry and functions to regulate and control voltage levels within electronic devices efficiently. The chip operates at high frequency and provides protection features for enhanced reliability. With its compact and versatile design, the DN3135K1-G chip is widely used in a range of electronic devices for efficient power management.
  • Features

    DN3135K1-G is a thyristor module that features a high voltage capability of up to 1600V, high blocking voltage, high surge capabilities, and low power losses. It is designed to provide efficient power conversion and control in various applications, including motor control, industrial drives, and power supplies.
  • Pinout

    The DN3135K1-G is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions of these pins are to control the flow of current between the Drain and Source terminals by applying voltage to the Gate terminal.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the DN3135K1-G is a company called Texas Instruments. It is a leading semiconductor and electronics component manufacturer, specializing in various products including integrated circuits, microcontrollers, processors, and other digital and analog devices.
  • Application Field

    The DN3135K1-G is a high voltage, high-side power switch specifically designed for automotive applications. It is commonly used in automotive safety applications such as airbag control modules, seatbelt pre-tensioners, and crash sensors. Its compact size, robust design, and high voltage capability make it suitable for various automotive safety systems.
  • Package

    The DN3135K1-G chip is packaged in a SOT-23 package type. It is in a small form factor with dimensions of approximately 3.0mm x 1.3mm x 1.1mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation DN3135K1-G PDF Herunterladen

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    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

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