Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Microchip DN3525N8-G

Tape and Reel Packaged Silicon N-channel Transistor with 250V Voltage Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Microchip

Herstellerteil #: DN3525N8-G

Datenblatt: DN3525N8-G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-89-3

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3474 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für DN3525N8-G oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

DN3525N8-G Allgemeine Beschreibung

DN3525 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

dn3525n8-g

Funktionen

    • High input impedance
    • Low input capacitance
    • Fast switching speeds
    • Low on-resistance
    • Free from secondary breakdown
    • Low input and output leakage
Microchip Inventory

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-89-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
Id - Continuous Drain Current 360 mA Rds On - Drain-Source Resistance 6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 1.6 W Channel Mode Depletion
Brand Microchip Technology Configuration Single
Fall Time 40 ns Height 1.6 mm
Length 4.6 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 25 ns
Factory Pack Quantity 2000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type FET
Width 2.6 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The DN3525N8-G chip is an integrated circuit used for power management in electronic devices. It is designed to control and regulate voltage levels, providing efficient power distribution and protection. With its compact size and advanced features, the DN3525N8-G chip offers reliable performance and flexibility, making it suitable for a wide range of applications, such as smartphones, tablets, and portable devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of DN3525N8-G chip include DN3525AL-G, DN3525AN8, and DN3525H8-G.
  • Features

    The DN3525N8-G is a power MOSFET with a drain-source voltage rating of 25V. It operates with a low on-resistance of 5.8mΩ. The MOSFET has a compact QFN package, making it suitable for space-constrained applications.
  • Pinout

    The DN3525N8-G is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with 8 pins. The specific pin functions may vary depending on the manufacturer, so it is recommended to consult the datasheet provided by the manufacturer for accurate information.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the DN3525N8-G is a company called Diodes Incorporated. It is a semiconductor company that designs, manufactures, and supplies application-specific standard products within the broad discrete, logic, and mixed-signal semiconductor markets.
  • Application Field

    The DN3525N8-G is a high-performance N-channel MOSFET transistor. It can be used in various applications such as power management, switch-mode power supplies, motor control, audio amplifiers, and LED lighting.
  • Package

    The package type of the DN3525N8-G chip is DPAK, the form is Surface Mount, and the size is 6.7mm x 6.7mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation DN3525N8-G PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • TN2524N8-G

    TN2524N8-G

    Microchip

    TN2524N8-G is a N-type MOSFET designed to handle u...

  • APT5010LVRG

    APT5010LVRG

    Microchip Technology, Inc

    Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tub...

  • 2N7334

    2N7334

    Microchip

    Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB

  • VN3205N6

    VN3205N6

    Microchip

    MOSFET 50V 0.3Ohm

  • 2N6802

    2N6802

    Microchip

    Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Pack...

  • TP2502N8-G

    TP2502N8-G

    Microchip

    TP2502N8-G, a P-channel MOSFET transistor, boasts ...